[發明專利]圖像傳感器及包括其的電子裝置

在審

• 申請號: 201711346652.0
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108242449A
• 公開（公告）日: 2018-07-03
• 發明（設計）人: 李志源;趙鼎鎮;林茂燮;徐圣永;李海源
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種圖像傳感器，包括：

包括共用像素的像素區域，其中所述共用像素中的每個包括組成組并共用浮置擴散(FD)區域的至少兩個光電二極管；以及

與所述像素區域相鄰的晶體管(TR)區域，其中所述晶體管區域包括對應于所述共用像素的晶體管組，

其中，當所述共用像素中的第一共用像素和第二共用像素在第一方向上彼此相鄰布置時，所述晶體管組中對應于所述第一共用像素的第一晶體管組和對應于所述第二共用像素的第二晶體管組共用第一選擇晶體管的源極區域。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，在所述共用像素中的每個中，四個光電二極管組成所述組，并且所述第一晶體管組和所述第二晶體管組關于所述第一選擇晶體管的所述源極區域處于鏡像對稱關系。

3.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其中所述第一晶體管組包括沿所述第一方向自電連接到所述第一共用像素的所述浮置擴散區域的第一等效浮置擴散區域起順序布置的第一復位晶體管、第一源極跟隨器晶體管和所述第一選擇晶體管；以及

所述第二晶體管組包括沿所述第一方向自所述第一選擇晶體管的所述源極區域起順序布置的第二選擇晶體管、第二源極跟隨器晶體管和第二復位晶體管，并且電連接到所述第二共用像素的所述浮置擴散區域的第二等效浮置擴散區域形成所述第二復位晶體管的源極區域。

4.根據權利要求3所述的圖像傳感器，其中，沿所述第一方向，第三共用像素鄰近所述第一共用像素設置，并且所述第一晶體管組的所述第一等效浮置擴散區域通過隔離區域與對應于所述第三共用像素的第三晶體管組的第三等效浮置擴散區域電隔離，所述第三等效浮置擴散區域電連接到所述第三共用像素的所述浮置擴散區域。

5.根據權利要求4所述的圖像傳感器，其中所述隔離區域被設置成淺溝槽隔離(STI)結構或包括絕緣層和在所述絕緣層下方的半導體層的隔離結構。

6.根據權利要求4所述的圖像傳感器，其中所述隔離區域沿所述第一方向形成在所述第一共用像素和第二共用像素中的每個的一側而不是兩側上。

7.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，在所述共用像素中的每個中，八個光電二極管組成所述組，所述共用像素中的每個中的所述八個光電二極管組成四個光電二極管對，每對包括在交叉所述第一方向的第二方向上排列的兩個相鄰光電二極管，所述第一選擇晶體管包括底第一選擇晶體管和頂第一選擇晶體管，并且所述第一晶體管組和所述第二晶體管組共用所述底第一選擇晶體管的源極區域。

8.根據權利要求7所述的圖像傳感器，其中所述第一晶體管組具有關于電連接到所述第一共用像素的所述浮置擴散區域的第一等效浮置擴散區域的鏡像對稱結構。

9.根據權利要求8所述的圖像傳感器，其中所述第一晶體管組包括：沿所述第一方向自所述第一等效浮置擴散區域起向下順序地布置的底第一復位晶體管、底第一源極跟隨器晶體管和所述底第一選擇晶體管；以及沿所述第一方向自所述第一等效浮置擴散區域起向上順序地布置的頂第一復位晶體管、頂第一源極跟隨器晶體管和所述頂第一選擇晶體管，并且所述第一等效浮置擴散區域是所述底第一復位晶體管和所述頂第一復位晶體管的公共源極區域。

10.根據權利要求9所述的圖像傳感器，其中所述第一等效浮置擴散區域通過互連連接到所述底第一源極跟隨器晶體管的柵電極和所述頂第一源極跟隨器晶體管的柵電極。

11.根據權利要求9所述的圖像傳感器，其中，沿所述第一方向，第三共用像素鄰近所述第一共用像素設置，所述頂第一選擇晶體管的源極區域由所述第一晶體管組和對應于所述第三共用像素的第三晶體管組共用，所述第一晶體管組和所述第二晶體管組關于所述底第一選擇晶體管的源極區域處于鏡像對稱關系，并且所述第一晶體管組和所述第三晶體管組關于所述頂第一選擇晶體管的所述源極區域處于鏡像對稱關系。