[發明專利]一種陣列基板、其制備方法、指紋識別方法及顯示裝置

有效

• 申請號: 201711338861.0
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN107832749B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 孫艷六;史世明;劉政;周偉峰
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G06K9/00
• 分類號: G06K9/00;G06F3/041
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：襯底基板以及位于所述襯底基板的顯示區域內的多個像素單元和多個指紋識別單元；所述像素單元包括薄膜晶體管；所述薄膜晶體管包括：有源層、在所述有源層遠離所述襯底基板一側設置的柵電極，在所述柵電極遠離所述襯底基板一側設置源、漏電極；

所述指紋識別單元包括：遮光層和感光圖像傳感器；

所述遮光層包括：用于實現小孔成像的通孔和主體部分；

所述遮光層為金屬遮光層，且所述遮光層位于所述薄膜晶體管靠近所述襯底基板的一側；

其中，所述通孔在所述襯底基板上的正投影與所述薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管連接的各導線在襯底基板上的正投影均不重疊，所述主體部分和所述薄膜晶體管的柵電極在襯底基板上的正投影重疊；

所述感光圖像傳感器用于接收指紋通過所述通孔所成的像。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述通孔在所述襯底基板上呈陣列排列，并且任意相鄰兩個所述通孔的中心距離滿足：

其中，d表示相鄰兩個所述通孔的中心距離，D表示所述通孔的直徑，h_d表示所述遮光層的下表面到所述感光圖像傳感器上表面的距離，h_t表示所述遮光層的厚度。

3.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述通孔的直徑的取值范圍為5～20微米。

4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述像素單元在所述襯底基板上的正投影。

5.如權利要求1-4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述感光圖像傳感器位于所述襯底基板背向所述遮光層的一側與所述通孔對應的位置。

6.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述感光圖像傳感器為CCD感光圖像傳感器或CMOS感光圖像傳感器。

7.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層位于所述襯底基板與所述像素單元之間。

8.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底基板包括至少兩層柔性層，所述遮光層設置在兩層所述柔性層之間。

9.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底基板為柔性基板，在所述遮光層與所述像素單元之間還設置有低溫介質層。

10.一種如權利要求1-9任一項所述的陣列基板的制備方法，所述陣列基板包括：襯底基板以及位于所述襯底基板的顯示區域內的多個像素單元和多個指紋識別單元；其特征在于，包括：

在所述襯底基板上形成所述遮光層；

對所述遮光層的主體部分進行構圖，在所述指紋識別單元所在區域內形成能夠成像的所述通孔，其中，所述通孔在所述襯底基板上的正投影與所述像素單元和與所述像素單元連接的各導線在襯底基板上的正投影均不重疊，所述主體部分和所述薄膜晶體管的柵電極在襯底基板上的正投影重疊；

在形成所述通孔的所述遮光層上形成所述像素單元的各膜層；

以及，在所述襯底基板背向所述遮光層的一側與所述通孔對應的位置設置感光圖像傳感器。

11.一種利用權利要求1-9任一項所述的陣列基板進行指紋識別的方法，其特征在于，包括：

獲取所述感光圖像傳感器成像的圖像；

通過對所述感光圖像傳感器成像的圖像進行拼接和整合得出完整的指紋圖像；

其中，所述感光圖像傳感器成像的圖像是通過指紋反射所述像素單元發出的光經各所述通孔在各所述通孔對應的所述感光圖像傳感器上成像的圖像。

12.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-9任一項所述的陣列基板。