[發明專利]一種應用于聲表面波濾波器的晶圓級封裝結構及封裝工藝有效
| 申請號: | 201711330447.5 | 申請日: | 2017-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN108011608B | 公開(公告)日: | 2021-11-16 |
| 發明(設計)人: | 金中;何西良;杜雪松 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第二十六研究所 |
| 主分類號: | H03H9/02 | 分類號: | H03H9/02;H03H9/64 |
| 代理公司: | 重慶博凱知識產權代理有限公司 50212 | 代理人: | 李海華 |
| 地址: | 400060 *** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 應用于 表面波 濾波器 晶圓級 封裝 結構 工藝 | ||
1.一種應用于聲表面波濾波器的晶圓級封裝工藝,其特征在于:步驟如下,
1)芯片加工:在同一塊晶圓上加工形成多片芯片,所有芯片的工作面朝向相同,所有芯片基于同一晶圓而連接成為整體;在每個芯片工作面的外圍鍍一圈金膜;
2)鍵合:在封裝晶圓上與每片芯片金膜對應位置分別鍍一圈金膜,然后將步驟1)得到的所有芯片作為一個整體放在封裝晶圓上并使金膜一一對應,使每片芯片上的金膜和封裝晶圓上對應的金膜鍵合在一起;鍵合過程在真空或者惰性氣體中完成,以避免空氣中的水蒸氣腐蝕芯片表面;
3)封裝晶圓減?。豪脵C械研磨方式使封裝晶圓減薄以降低器件體積;
4)加工導通孔:通過激光打孔的方法在封裝晶圓上形成導通孔以利于后續封裝晶圓背面和芯片上的焊盤連通;
5)鍍膜:把整個封裝晶圓的背面全部鍍上金屬膜,金屬進入導通孔中并與芯片焊盤連接起來,從而完成芯片焊盤與封裝晶圓的電連接;
6)電鍍增加金屬膜厚度,然后刻蝕形成需要的外部電路布線結構;
7)在封裝晶圓背面加工需要數量的金屬焊球,并使金屬焊球與外部電路布線結構形成需要的電連接。
2.根據權利要求1所述的應用于聲表面波濾波器的晶圓級封裝工藝,其特征在于:所述封裝晶圓為玻璃材質,所述玻璃材質具有與芯片襯底材料相同或者接近的熱膨脹系數。
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