[發(fā)明專利]鰭式場效應(yīng)晶體管的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711325799.1
• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號(hào): CN108054100B
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市物芯智能科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336
• 代理公司: 深圳峰誠志合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44525
• 代理人: 李明香

本發(fā)明提供了一種鰭式場效應(yīng)晶體管的制作方法，包括：提供SOI基底，并在所述SOI基底形成臺(tái)階部；基于所述SOI基底的臺(tái)階部形成高度不同的鰭部；在所述鰭部表面形成柵介質(zhì)層，并在所述柵介質(zhì)層表面形成柵極；采用傾斜角度注入的方式分別對所述鰭部兩側(cè)進(jìn)行離子注入，以在所述鰭部形成源區(qū)和漏區(qū)。本發(fā)明提供的鰭式場效應(yīng)晶體管的制作方法可以解決相鄰鰭式場效應(yīng)晶體管的鰭部的陰影效應(yīng)。

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，特別地，涉及一種鰭式場效應(yīng)晶體管的制作方法。

【背景技術(shù)】

鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)是一種具有鰭型溝道結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管。在鰭式場效應(yīng)晶體管中，鰭部(Fin)垂直地形成在硅襯底表面，且鰭部作為溝道，柵極通過覆蓋在鰭表面來控制溝道。

在鰭式場效應(yīng)晶體管的制作工藝流程中，當(dāng)對鰭式場效應(yīng)晶體管進(jìn)行源區(qū)和漏區(qū)的離子注入時(shí)，要求在鰭部的頂部和側(cè)面都注入離子，一般而言，鰭式場效應(yīng)晶體管的鰭部高而且窄，所以通常會(huì)采用傾斜角度離子注入的方式進(jìn)行源區(qū)和漏區(qū)的離子注入。但是在實(shí)際的芯片中，往往存在多個(gè)鰭式場效應(yīng)晶體管密集排布的情況，此時(shí)由于相鄰的鰭的影響，在同時(shí)對芯片的多個(gè)鰭式場效應(yīng)晶體管進(jìn)行源區(qū)和漏區(qū)注入時(shí)，相鄰鰭式場效應(yīng)晶體管容易存在注入陰影效應(yīng)的影響，即是鰭式場效應(yīng)晶體管的鰭部會(huì)阻擋住相鄰的鰭式場效應(yīng)晶體管的源區(qū)和漏區(qū)的傾斜角度離子注入路徑。

]對于上述情況，常規(guī)的解決方法是加大相鄰鰭式場效應(yīng)晶體管之間的間距，然而，采用增加間距的方式雖然能解決源漏注入陰影效應(yīng)，但是會(huì)浪費(fèi)芯片面積，影響芯片的集成度，提高芯片整體成本。

]有鑒于此，有必要提供一種鰭式場效應(yīng)晶體管的制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明的其中一個(gè)目的在于為解決上述問題而提供一種鰭式場效應(yīng)晶體管的制作方法。

]本發(fā)明提供的鰭式場效應(yīng)晶體管的制作方法，包括：提供SOI基底，并在所述SOI基底形成臺(tái)階部；基于所述SOI基底的臺(tái)階部形成高度不同的鰭部；在所述鰭部表面形成柵介質(zhì)層，并在所述柵介質(zhì)層表面形成柵極；采用傾斜角度注入的方式分別對所述鰭部兩側(cè)進(jìn)行離子注入，以在所述鰭部形成源區(qū)和漏區(qū)。

作為在本發(fā)明提供的鰭式場效應(yīng)晶體管的制作方法的一種改進(jìn)，在一種優(yōu)選實(shí)施例中，還包括：通過熱處理使得所述源區(qū)和漏區(qū)的離子激活并擴(kuò)散。

作為在本發(fā)明提供的鰭式場效應(yīng)晶體管的制作方法的一種改進(jìn)，在一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述熱處理的溫度為500℃～1200℃。

作為在本發(fā)明提供的鰭式場效應(yīng)晶體管的制作方法的一種改進(jìn)，在一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述提供SOI基底，并在所述SOI基底形成臺(tái)階部的步驟包括：提供一個(gè)SOI基底，所述SOI基底包括背襯底、形成在所述背襯底表面的絕緣氧化埋層以及形成在所述絕緣氧化埋層表面的頂層硅；通過對所述頂層硅進(jìn)行光刻處理，來在所述SOI基底形成高度不同的臺(tái)階部。

作為在本發(fā)明提供的鰭式場效應(yīng)晶體管的制作方法的一種改進(jìn)，在一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述臺(tái)階部包括具有第一高度的第一臺(tái)階和具有第二高度的第二臺(tái)階，其中所述第一高度對應(yīng)于高鰭的高度，而所述第二高度對應(yīng)于矮鰭的高度。

作為在本發(fā)明提供的鰭式場效應(yīng)晶體管的制作方法的一種改進(jìn)，在一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述高度不同的鰭部包括具有第一高度的高鰭和具有第二高度的矮鰭，所述高鰭是基于所述臺(tái)階部的第一臺(tái)階進(jìn)行光刻處理形成的，而所述矮鰭是基于所述臺(tái)階部的第二臺(tái)階進(jìn)行光刻處理形成的。

]作為在本發(fā)明提供的鰭式場效應(yīng)晶體管的制作方法的一種改進(jìn)，在一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述采用傾斜角度注入的方式分別對所述鰭部兩側(cè)進(jìn)行離子注入包括：從所述高鰭和所述矮鰭的一側(cè)進(jìn)行傾斜角度的離子注入；在上述一側(cè)注入完成之后，再從所述高鰭和所述矮鰭的另一側(cè)進(jìn)行傾斜角度的離子注入。