[發(fā)明專利]光伏電池片及相應(yīng)的網(wǎng)版與方阻和/或接觸電阻率的測(cè)量方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711323432.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107871792A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李碩;王栩生;蔣方丹;邢國(guó)強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州阿特斯陽(yáng)光電力科技有限公司;阿特斯陽(yáng)光電力集團(tuán)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0224 | 分類號(hào): | H01L31/0224;G01R31/26;H02S50/10 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11371 | 代理人: | 李丙林 |
| 地址: | 215129 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電池 相應(yīng) 接觸 電阻率 測(cè)量方法 | ||
1.一種用于測(cè)量金屬-半導(dǎo)體接觸電阻率的光伏電池片,其特征在于,所述光伏電池片表面包括M個(gè)由內(nèi)至外設(shè)置的測(cè)試區(qū)域,每個(gè)測(cè)試區(qū)域內(nèi)至少設(shè)置一組由N條矩形電極以平行間隔方式排布的測(cè)試電極;
其中,M≥2;N≥3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)量金屬-半導(dǎo)體接觸電阻率的光伏電池片,其特征在于,所述M個(gè)測(cè)試區(qū)域由內(nèi)至外依次相鄰設(shè)置,第一個(gè)測(cè)試區(qū)域?yàn)榭谧中谓M成的測(cè)試區(qū)域,第二個(gè)測(cè)試區(qū)域至第M個(gè)測(cè)試區(qū)域均為回字形組成的環(huán)形的測(cè)試區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于測(cè)量金屬-半導(dǎo)體接觸電阻率的光伏電池片,其特征在于,所述M個(gè)測(cè)試區(qū)域的面積相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于測(cè)量金屬-半導(dǎo)體接觸電阻率的光伏電池片,其特征在于,所述M個(gè)測(cè)試區(qū)域的邊緣輪廓為正方形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于測(cè)量金屬-半導(dǎo)體接觸電阻率的光伏電池片,其特征在于,第m個(gè)測(cè)試區(qū)域的外邊框的邊長(zhǎng)為其中,Lc為光伏電池片的邊長(zhǎng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的用于測(cè)量金屬-半導(dǎo)體接觸電阻率的光伏電池片,其特征在于,不同測(cè)試區(qū)域內(nèi)的測(cè)試電極至少以所述光伏電池片的一條對(duì)稱軸對(duì)稱設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的用于測(cè)量金屬-半導(dǎo)體接觸電阻率的光伏電池片,其特征在于,所述矩形電極的寬度為0.1-2mm;
優(yōu)選地,所述矩形電極的長(zhǎng)度小于所述測(cè)試區(qū)域的邊界;
優(yōu)選地,所述矩形電極的間距為0.2-100mm;
優(yōu)選地,所述矩形電極的間距之差為0.2-20mm;
優(yōu)選地,所述矩形電極的數(shù)量為4-20。
8.一種網(wǎng)版,其特征在于,所述網(wǎng)版的印刷圖形與權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的光伏電池片的圖形相匹配。
9.一種方阻和/或接觸電阻率的測(cè)量方法,其特征在于,利用權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)中的測(cè)試電極分別測(cè)量每個(gè)對(duì)應(yīng)測(cè)試區(qū)域內(nèi)的方阻和/或接觸電阻率,測(cè)量后取平均值得到光伏電池片的方阻和/或接觸電阻率;
或,
利用權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)中的測(cè)試電極分別測(cè)量每個(gè)對(duì)應(yīng)測(cè)試區(qū)域內(nèi)的接觸電阻率,然后利用公式M/ρc=1/ρc1+1/ρc2+1/ρc3+1/ρc4+……1/ρcM,計(jì)算得到整片電池片的接觸電阻率ρc,ρc1、ρc2、ρc3、ρc4、……ρcM分別對(duì)應(yīng)每個(gè)測(cè)試區(qū)域的平均接觸電阻率。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方阻和/或接觸電阻率的測(cè)量方法,其特征在于,測(cè)試前將每組測(cè)試電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域用激光切片的方法沿矩形電極的長(zhǎng)度方向的邊緣切開(kāi),然后再進(jìn)行方阻和/或接觸電阻率的測(cè)量。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





