[發明專利]一種半導體器件

在審

• 申請號: 201711307938.8
• 申請日: 2017-12-11
• 公開（公告）號: CN107863391A
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 羅艷
• 申請（專利權）人: 四川九鼎智遠知識產權運營有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/40
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司51214
• 代理人: 詹永斌

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

P型襯底；

隔離層，所述隔離層位于所述P型襯底上；

N型硅層，所述N型硅層位于所述隔離層上；

P型阱，所述P型阱位于所述N型硅層一側的所述隔離層上；

N型阱，所述N型阱位于所述N型硅層另一側的所述隔離層上；

源極，所述源極位于所述P型阱上；

漏極，所述漏極位于所述N型阱上；

氧化層，所述氧化層位于所述N型硅層上；

第一介質層，所述第一介質層覆蓋所述源極和漏極之間的所述氧化層、P型阱和N型阱；

第二介質層，所述第二介質層覆蓋所述源極和漏極之間的所述第一介質層，所述第二介質層上設有凹槽，所述凹槽內形成有柵極；

金屬拱形場板，所述金屬拱形場板跨過所述柵極，且所述金屬拱形場板的一端與源極連接，另一端搭接在所述柵極與所述漏極之間的第二介質層上；

其中，所述第一介質層內具有位于下層的多個半絕緣電阻極板和位于上層的多個導體極板，所述多個半絕緣電阻極板和所述多個導體極板均橫向間隔排列，且任意一個所述半絕緣電阻極板與上層相鄰的一個導體極板垂直連接，與上層相鄰的另一個導體極板構成電容器，位于左右最外側的兩個導體極板分別與所述P型阱和N型阱垂直連接。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述多個半絕緣電阻極板設于所述氧化層上表面。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，相鄰兩個半絕緣電阻極板的間距為2微米。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極與所述漏極之間的第二介質層上埋設有金屬柱，所述金屬拱形場板與所述第二介質層搭接的一端與所述金屬柱固定連接。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極的截面形狀為T形。