[發明專利]用于形成圖像傳感器的方法及圖像傳感器

在審

• 申請號: 201711306927.8
• 申請日: 2017-12-11
• 公開（公告）號: CN108054179A
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 吳明;吳孝哲;林宗賢;吳龍江;薛超;朱曉彤
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 田菁

本公開涉及一種用于形成圖像傳感器的方法，包括：形成第一光電二極管；在所述第一光電二極管之上形成第二光電二極管；以及在所述第二光電二極管之上形成第三光電二極管，其中，通過在一個導電類型的半導體材料層上形成另一導電類型的半導體材料層來形成所述第一、第二和第三光電二極管中的一個或多個。本公開還涉及一種圖像傳感器。本公開能夠避免離子注入對半導體材料的損傷。

技術領域

本公開涉及半導體領域，具體來說，涉及一種用于形成圖像傳感器的方法及圖像傳感器。

背景技術

圖像傳感器用于將入射光轉化為電信號。圖像傳感器包括光電二極管的陣列，入射光的光子到達光電二極管之后被吸收并產生載流子，從而產生電信號。

不同波長的光，在半導體材料中被完全吸收的深度是不同的。可利用該特性改進圖像傳感器的結構。

發明內容

根據本公開的第一方面，提供了一種用于形成圖像傳感器的方法，包括：形成第一光電二極管；在所述第一光電二極管之上形成第二光電二極管；以及在所述第二光電二極管之上形成第三光電二極管，其中，通過在一個導電類型的半導體材料層上形成另一導電類型的半導體材料層來形成所述第一、第二和第三光電二極管中的一個或多個。

根據本公開的第二方面，提供了一種圖像傳感器，包括：第一光電二極管；第二光電二極管，所述第二光電二極管位于所述第一光電二極管之上；以及第三光電二極管，所述第三光電二極管位于所述第二光電二極管之上，其中，所述第一、第二和第三光電二極管中的一個或多個包括一個導電類型的半導體材料層以及形成在所述一個導電類型的半導體材料層之上的另一導電類型的半導體材料層。

根據本公開的第二方面，提供了一種圖像傳感器，包括：第一光電二極管；第二光電二極管，所述第二光電二極管位于所述第一光電二極管之上；第三光電二極管，所述第三光電二極管位于所述第二光電二極管之上；第一隔離層，所述第一隔離層位于所述第一和第二光電二極管之間；以及第二隔離層，所述第二隔離層位于所述第二和第三光電二極管之間。

通過以下參照附圖對本公開的示例性實施例的詳細描述，本公開的其它特征及其優點將會變得清楚。

附圖說明

構成說明書的一部分的附圖描述了本公開的實施例，并且連同說明書一起用于解釋本公開的原理。

參照附圖，根據下面的詳細描述，可以更加清楚地理解本公開，其中：

圖1是示意性地示出根據本公開的一些實施例的圖像傳感器的結構的示意圖。

圖2是示意性地示出圖1的圖像傳感器中的一個光電二極管的結構的示意圖。

圖3是示意性地示出根據本公開的一些實施例的圖像傳感器的結構的示意圖。

圖4是示意性地示出根據本公開的一些實施例的圖像傳感器的結構的示意圖。

圖5是示意性地示出圖4的圖像傳感器在與圖像傳感器的主表面平行的平面圖中的結構的示意圖。

圖6至9是分別示出了在根據本公開一個示例性實施例來形成圖像傳感器的一個方法示例的各個步驟處的圖像傳感器的截面圖的示意圖。

圖10至12是分別示出了在根據本公開一個示例性實施例來形成圖像傳感器的一個方法示例的各個步驟處的圖像傳感器的平面圖的示意圖。

圖13是示意性地示出根據本公開的一些實施例的圖像傳感器的結構的示意圖。

圖14是示意性地示出圖6中的A區域的結構的示意圖。

圖15至20是分別示出了在根據本公開一個示例性實施例來形成圖像傳感器的一個方法示例的各個步驟處的圖像傳感器的截面圖的示意圖。