[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法

在審

• 申請號: 201711304674.0
• 申請日: 2017-12-11
• 公開（公告）號: CN108091697A
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 張錫明;陳玉仙;黃彥余
• 申請（專利權）人: 中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

通道層，設置于襯底上；

源極和漏極，分離設置于所述通道層上；

絕緣層，覆蓋所述源極、所述漏極和所述通道層；以及

柵極，設置于所述絕緣層上，

其中所述通道層的相對兩側壁分別與所述源極的遠離所述漏極的側壁和所述漏極的遠離所述源極的側壁切齊。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，還包括：

對位標記，設置于所述襯底上且與所述通道層相互分離。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其中所述對位標記包括：

導體層；以及

半導體層，設置于所述襯底和所述導體層之間。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其中所述半導體層與所述通道層由同一圖案化半導體層所形成。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管，其中所述導體層與所述源極和所述漏極由同一圖案化導體層所形成。

6.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成通道材料層；

在所述通道材料層上覆蓋導體材料層，以于所述襯底上形成疊層；

移除部分所述疊層，以形成相互分離的對位標記和圖案化疊層，其中所述圖案化疊層包括通道層和形成于所述通道層上的導體層；

圖案化所述導體層，以形成相互分離的源極和漏極，其中所述源極和所述漏極暴露出部分所述通道層；

在所述源極、所述漏極和所述通道層上覆蓋絕緣層；以及

在所述絕緣層上形成柵極。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法，還包括：

在所述通道材料層上覆蓋所述導體材料層之前，對所述通道材料層進行退火工藝。

8.根據權利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法，其中形成相互分離的所述對位標記和所述圖案化疊層的方法包括：

在所述疊層上形成圖案化光刻膠層，其中所述圖案化光刻膠層暴露部分所述疊層；以及

移除所述圖案化光刻膠層所暴露的部分所述疊層，以形成所述對位標記和所述圖案化疊層。

9.根據權利要求8所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述圖案化光刻膠層具有第一部分和第二部分，且所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度，在圖案化所述導體層之前，移除所述圖案化光刻膠層的所述第二部分，以暴露出部分所述導體層。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管的制造方法，其中形成所述圖案化光刻膠層的方法包括：

在所述疊層上形成光刻膠層，以半色調掩模對所述光刻膠層進行曝光顯影工藝，以形成具有所述第一部分和所述第二部分的圖案化光刻膠層。