[發明專利]疊層薄膜的制備方法和疊層薄膜

在審

• 申請號: 201711298658.5
• 申請日: 2017-12-08
• 公開（公告）號: CN108039314A
• 公開（公告）日: 2018-05-15
• 發明（設計）人: 田晶;曲銘浩;胡超;黃昭雄;吳建清;徐國軍
• 申請（專利權）人: 米亞索樂裝備集成（福建）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C23C14/00;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/34
• 代理公司: 北京維澳專利代理有限公司 11252
• 代理人: 周放;姜溯洲

本發明提供了一種疊層薄膜的制備方法和疊層薄膜，其中，該制備方法包括：在襯底上沉積第一膜層；在所述第一膜層上形成疏松多孔的釋力接觸層；在所述釋力接觸層上形成第二膜層；其中，第一膜層為金屬層，第二膜層為半導體層，或者第一膜層為半導體層，第二膜層為金屬層。本發明提供的疊層薄膜的制備方法和疊層薄膜通過沉積一層釋力接觸層，使得金屬層和半導體層之間的應力能夠得到釋放，避免了膜層的脫落，提高了生產質量。

技術領域

本發明涉及太陽能電池的制造技術，尤其涉及一種疊層薄膜的制備方法和疊層薄膜。

背景技術

在目前的光伏、平板顯示等半導體器件制造領域，為了滿足產品的多重需求，磁控濺射薄膜技術被廣泛應用于獲得具有特定功能的復雜器件制備中。因此，在實際工藝中需要將兩層或多層不同材料、不同功能性的膜層進行疊層復合，其中，金屬與半導體疊層薄膜的結構被廣泛地用作前、背接觸的電極結構。

金屬與半導體材料在力學和電學性能方法存在顯著差異，當它們以膜層的形式進行接觸形成界面時，容易在界面處產生嚴重的物理性能失配的現象。現有技術中，在金屬膜層成膜后，固有的應力態使得金屬膜層和半導體膜層之間的界面存在應變，造成膜層相互脫落，影響生產質量。

發明內容

本發明的目的是提供一種疊層薄膜的制備方法和疊層薄膜，以解決現有技術中的問題，提高金屬膜層和半導體膜層之間的附著力，避免膜層脫落，提高生產質量。

本發明提供了一種疊層薄膜的制備方法，其中，包括：

在襯底上沉積第一膜層；

在所述第一膜層上形成疏松多孔的釋力接觸層；

在所述釋力接觸層上形成第二膜層，其中：所述第一膜層為金屬層，所述第二膜層為半導體層，或者所述第一膜層為半導體層，所述第二膜層為金屬層。

如上所述的疊層薄膜的制備方法，其中，優選的是，所述在所述第一膜層上形成疏松多孔的釋力接觸層具體包括：

在所述第一膜層上沉積由單質構成的釋力接觸層；或通過化學反應形成由化合物構成的釋力接觸層。

如上所述的疊層薄膜的制備方法，其中，優選的是，所述由單質構成的釋力接觸層的材料包括：銅、銀、鐵、鋁、鎢、鉬、鉻、鎳、鉭、釩、鈦或錳中的一種。

如上所述的疊層薄膜的制備方法，其中，優選的是，所述通過化學反應形成由化合物構成的釋力接觸層具體包括：

加入氧族元素進行反應濺射，以得到外延結構的釋力接觸層。

如上所述的疊層薄膜的制備方法，其中，優選的是，所述加入氧化物進行反應濺射具體包括：

通入氧或硫或硒的固體蒸汽。

如上所述的疊層薄膜的制備方法，其中，優選的是，所述加入氧化物進行反應濺射具體包括：通入氣態的氧或氣態的硫或氣態的硒。

如上所述的疊層薄膜的制備方法，其中，優選的是，沉積所述釋力接觸層的工作壓強在0.5Pa-2Pa之間。

本發明還提供了一種疊層薄膜，其中，包括：金屬層、釋力接觸層和半導體層；所述釋力接觸層設置在所述金屬層和所述半導體層之間。

如上所述的疊層薄膜，其中，優選的是，所述釋力接觸層為微孔或介孔的多孔結構。

如上所述的疊層薄膜，其中，優選的是，所述釋力接觸層的厚度為10nm-1000nm。

本發明提供的疊層薄膜的制備方法和疊層薄膜通過沉積一層釋力接觸層，使得金屬層和半導體層之間的應力能夠得到釋放，避免了膜層的脫落，提高了生產質量。

附圖說明