[發(fā)明專(zhuān)利]基片處理方法和熱處理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711293037.8
• 申請(qǐng)日: 2017-12-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108183068B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐野要平;川上真一路;榎本正志;鹽澤崇博;吉田圭佑;鬼塚智也
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/027
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/027;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種對(duì)形成于基片的含金屬膜進(jìn)行熱處理的基片處理方法，其特征在于：

所述熱處理通過(guò)在設(shè)置于處理腔室的內(nèi)部的熱處理板上載置基片來(lái)進(jìn)行，

在所述熱處理中，對(duì)所述含金屬膜供給水分，從所述處理腔室的中央部對(duì)該處理腔室的內(nèi)部進(jìn)行排氣，

所述熱處理包括：

在所述熱處理板上載置了基片的狀態(tài)下，對(duì)所述處理腔室的內(nèi)部供給含水分氣體，并且從所述處理腔室的外周部對(duì)該處理腔室的內(nèi)部以第1排氣量進(jìn)行排氣的第1工序；和

之后，停止所述含水分氣體的供給，從所述處理腔室的中央部對(duì)該處理腔室的內(nèi)部以比所述第1排氣量大的第2排氣量進(jìn)行排氣的第2工序。

2.如權(quán)利要求1所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述處理腔室的內(nèi)部的與所述熱處理板相對(duì)的位置，設(shè)置有在下表面形成有多個(gè)氣體供給孔的噴頭，

在所述第1工序中，從所述噴頭對(duì)所述處理腔室的內(nèi)部供給所述含水分氣體。

3.如權(quán)利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于：

所述處理腔室包括：可升降的上部腔室；和與所述上部腔室成為一體而能夠?qū)?nèi)部密閉的下部腔室，

在所述第2工序中，使所述上部腔室上升，使外部空氣從所述處理腔室的外周部流入到內(nèi)部，并且從所述處理腔室的中央部對(duì)該處理腔室的內(nèi)部進(jìn)行排氣。

4.如權(quán)利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于，還包括：

在所述第1工序后所述第2工序前，停止所述含水分氣體的供給，從所述處理腔室的外周部對(duì)該處理腔室的內(nèi)部以所述第1排氣量進(jìn)行排氣的工序。

5.如權(quán)利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于，還包括：

在所述第2工序后，使基片從所述熱處理板上升，停止所述含水分氣體的供給，從所述處理腔室的中央部對(duì)該處理腔室的內(nèi)部以所述第2排氣量進(jìn)行排氣的工序。

6.如權(quán)利要求1所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述熱處理中，在所述熱處理板上載置了基片的狀態(tài)下，

從在所述處理腔室的外周部環(huán)狀地設(shè)置的水分供給部對(duì)該處理腔室的內(nèi)部供給含水分氣體，并且，

從設(shè)置于所述處理腔室的上表面中央部的中央排氣部對(duì)該處理腔室的內(nèi)部進(jìn)行排氣。

7.如權(quán)利要求6所述的基片處理方法，其特征在于：

所述水分供給部在該水分供給部的圓周上等間隔地形成有多個(gè)氣體供給孔，

從所述多個(gè)氣體供給孔對(duì)所述處理腔室的內(nèi)部供給所述含水分氣體。

8.如權(quán)利要求7所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述處理腔室的外周部比所述水分供給部靠?jī)?nèi)側(cè)設(shè)置有環(huán)狀的氣體流通部，

所述氣體流通部在該氣體流通部的圓周上等間隔地形成有多個(gè)氣體流通孔，

從所述水分供給部供給的所述含水分氣體，通過(guò)所述多個(gè)氣體流通孔被供給到所述處理腔室的內(nèi)部。

9.如權(quán)利要求1所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述基片處理方法中，在基片上涂敷含金屬材料來(lái)形成所述含金屬膜，進(jìn)而在對(duì)所述含金屬膜進(jìn)行曝光后，對(duì)該含金屬膜進(jìn)行熱處理，

在所述熱處理前或者所述熱處理中，對(duì)所述含金屬膜供給水。

10.如權(quán)利要求1所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述處理腔室的外周部設(shè)置有開(kāi)閉該處理腔室的開(kāi)閉閘板，

所述熱處理包括：

利用所述開(kāi)閉閘板將所述處理腔室關(guān)閉，在所述熱處理板上載置了基片的狀態(tài)下，對(duì)所述處理腔室的內(nèi)部供給含水分氣體，并且從所述處理腔室的外周部對(duì)該處理腔室的內(nèi)部進(jìn)行排氣的第1工序；

之后，使基片從所述熱處理板上升，停止所述含水分氣體的供給，從所述處理腔室的中央部對(duì)該處理腔室的內(nèi)部進(jìn)行排氣的第2工序；和

之后，利用所述開(kāi)閉閘板打開(kāi)所述處理腔室的第3工序。