[發明專利]封裝及相機模塊有效
| 申請號: | 201711284367.0 | 申請日: | 2013-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN108091663B | 公開(公告)日: | 2020-12-18 |
| 發明(設計)人: | 宮澤信二;大岡豐 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 陳睆;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 相機 模塊 | ||
本發明提供一種封裝以及相機模塊,所述封裝包括:玻璃基板;半導體基板,所述半導體基板具有作為光入射側的第一側和與所述第一側相對的第二側;保護層,所述保護層位于所述玻璃基板與所述半導體基板的所述第一側之間;微透鏡層,所述微透鏡層處于所述半導體基板的所述第一側;第一樹脂區域,所述第一樹脂區域包括在所述保護層與所述玻璃基板之間的樹脂材料;以及第二樹脂區域,所述第二樹脂區域包括在與所述半導體基板的所述第一側重合的平面和與所述半導體基板的所述第二側重合的平面之間的樹脂材料。
本申請是申請日為2013年9月5日、發明名稱為“固體成像裝置及電子裝置”的申請號為201310400038.3的專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及一種固態成像裝置及一種電子裝置,具體而言,涉及其中防水性得以提高的一種固態成像裝置及一種電子裝置。
背景技術
在過去,為在固態成像裝置的制造中保護微透鏡,提出在微透鏡的表面上形成由氧化膜、氮化膜或氮氧化膜形成的保護膜(參見JP 2005-277409A及JP 2008-288570A)。此種保護膜利用例如SiN(氮化硅)形成,而且還具有防止硅基板的表面上的金屬布線被腐蝕的功能。
圖1是圖示作為固態成像裝置的示例的CMOS圖像傳感器芯片的結構的示意性剖視圖,在所述固態成像裝置中,在微透鏡的表面上形成有保護膜。此芯片10具有其中堆疊有硅基板11、保護膜12、遮光膜13、平坦化膜14、濾色層15、平坦化膜16及微透鏡層17的結構。應注意,硅基板11的表面上形成有光電二極管(未圖示)。
此外,通過利用SiN等在微透鏡層17的表面上形成保護膜(未圖示),可防止水分及雜質進入至芯片10的表面(微透鏡層17)側。
然而,例如,當將芯片10放置于具有高的水蒸氣壓的環境中時,水分及雜質可進入芯片10的上面未形成有保護膜的側面,并可使品質劣化。
例如,如圖1中的箭頭所示,進入芯片10的側面的水分可吸收用于芯片10的密封樹脂的成分并進入濾色層15中,此可導致濾色器脫色以及光學特性的改變。
此外,如圖2中的箭頭所示,進入芯片10的側面的水分可到達硅基板11的表面,此可導致光電二極管的表面膜上的固定電荷發生變化并導致暗電流增大。
發明內容
因此,本發明旨在提高固態成像裝置(例如CMOS圖像傳感器)的防水性。
根據本發明的第一實施例,提供一種固態成像裝置,其包括:基板,其表面上形成有多個光電二極管;以及保護膜,其是透明的并且具有防水性,所述保護膜包括垂直于所述基板的所述表面的側壁部及覆蓋由所述側壁部圍繞的區域的頂部,所述側壁部及所述頂部圍繞在所述基板上排列有所述多個光電二極管的區域。
所述保護膜的所述側壁部可沿所述固態成像裝置的側表面而形成。
所述保護膜還可沿開孔的內壁而形成,所述開孔用于布線至所述固態成像裝置的電極焊盤。
所述保護膜的所述側壁部被嵌入沿所述固態成像裝置的外周邊并且在所述外周邊的內側形成的凹槽中。
所述保護膜還可被嵌入形成于開孔的周邊中的凹槽中,所述開孔用于布線至所述固態成像裝置的所述電極焊盤。
所述保護膜的所述側壁部的下端與內壁至少之一可與所述基板接觸。
所述保護膜的所述頂部與所述基板之間可設置有濾色器。
所述保護膜的所述頂部可形成用于將光聚集至每一個所述光電二極管的微透鏡。
所述保護膜的所述頂部可與所述濾色器接觸。
所述保護膜的所述頂部可形成于微透鏡的表面上,所述微透鏡用于將光聚集至每一個所述光電二極管。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





