[發(fā)明專利]一種集成電路模組結(jié)構(gòu)及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711278627.3
• 申請(qǐng)日: 2017-12-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107845614A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何軍;其他發(fā)明人請(qǐng)求不公開(kāi)姓名
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安徽云塔電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及集成電路模組技術(shù)，尤其涉及一種集成電路模組結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)

隨著電子產(chǎn)品的日益發(fā)展，各類元器件的研發(fā)都朝著集成化、功能多的方向發(fā)展，因此，對(duì)集成器件的集成電路模組結(jié)構(gòu)的要求也在日益提高。

現(xiàn)階段，集成器件組裝在系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP，System in Package)模組中時(shí)，需要在集成電路模組結(jié)構(gòu)中設(shè)置焊盤(pán)以及和焊盤(pán)連接的焊球，以便集成電路器件/芯片和其他集成電路器件/芯片之間連接。焊球的寄生電阻大概在30mΩ左右，在傳統(tǒng)的數(shù)字芯片的封裝過(guò)程中焊球的寄生電阻的影響可以忽略，但是在射頻模組或高頻應(yīng)用中，焊球的寄生電阻會(huì)大幅降低集成器件中電容或電感的品質(zhì)因數(shù)，影響集成器件的性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種集成電路模組結(jié)構(gòu)及其制作方法，以實(shí)現(xiàn)降低寄生電阻，提高集成器件中電容或電感的品質(zhì)因數(shù)，優(yōu)化集成器件的性能。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種集成電路模組結(jié)構(gòu)，包括：

集成器件，所述集成器件上設(shè)置有部分功能電路，所述集成器件包括相對(duì)的第一面和第二面，所述第一面上設(shè)置有與所述功能電路連接的至少一個(gè)接口；

塑封層，所述塑封層暴露出所述集成器件的第一面；

重布線層，所述重布線層至少一層，每層所述重布線層包括至少一個(gè)金屬圖形，所述金屬圖形與所述接口對(duì)應(yīng)連接，其中，

所述金屬圖形自身形成剩余的功能電路，或者所述金屬圖形直接連接到剩余的功能電路；

絕緣層，位于所述集成器件和所述塑封層靠近所述第一面的一側(cè)，所述絕緣層包括至少一層，每層所述絕緣層覆蓋一層所述重布線層，所述絕緣層暴露出所述金屬圖形的一部分以形成焊盤(pán)。

可選的，所述金屬圖形覆蓋并接觸其對(duì)應(yīng)的所述接口，所述金屬圖形的面積大于其對(duì)應(yīng)的所述接口的面積。

可選的，所述集成器件的個(gè)數(shù)多于一個(gè)，多個(gè)所述集成器件的所述接口通過(guò)所述金屬圖形連接。

可選的，所述重布線層包括多層，各層重布線層之間由絕緣層隔離，由通孔實(shí)現(xiàn)各重布線層之間的電連接。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種集成電路模組結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：

提供載板，在所述載板上形成過(guò)渡膠；

在所述過(guò)渡膠上設(shè)置集成器件，所述集成器件上設(shè)置有部分功能電路，所述集成器件包括相對(duì)的第一面和第二面，所述第一面上設(shè)置有與所述功能電路連接的至少一個(gè)接口，所述第二面與所述過(guò)渡膠接觸；

在所述過(guò)渡膠上形成塑封層，所述塑封層包覆所述集成器件；

減薄所述塑封層，使所述塑封層暴露出所述接口；

在所述塑封層上形成至少一層重布線層，每層所述重布線層包括至少一個(gè)金屬圖形，所述金屬圖形與所述接口對(duì)應(yīng)連接，其中，所述金屬圖形自身形成剩余的功能電路，或者所述金屬圖形直接連接到剩余的功能電路；

在所述塑封層和所述重布線層上形成至少一層絕緣層，每層所述絕緣層覆蓋一層所述重布線層，所述絕緣層暴露出所述金屬圖形的一部分。

可選的，在形成所述絕緣層之后，還包括：去除所述載板和所述過(guò)渡膠。

可選的，采用重布線技術(shù)在所述塑封層上形成所述金屬圖形，形成的所述金屬圖形覆蓋并接觸其對(duì)應(yīng)的所述接口，形成的所述金屬圖形的面積大于其對(duì)應(yīng)的所述接口的面積。

可選的，所述金屬圖形的材料為銅。

可選的，在所述塑封層和所述重布線層上形成至少一層絕緣層，每層所述絕緣層覆蓋一層所述重布線層，包括：在所述塑封層上形成多層重布線層，各層所述重布線層之間由絕緣層互相隔離，并由通孔實(shí)現(xiàn)各重布線層之間的電連接。

可選的，在所述塑封層和所述重布線層上形成至少一層絕緣層，所述絕緣層暴露出所述金屬圖形的一部分，包括：

在所述塑封層和所述重布線層上沉積形成至少一層介電材料層，形成的所述介電材料層覆蓋所述金屬圖形和所述集成器件；

刻蝕所述介電材料層以暴露出所述金屬圖形的一部分。

本發(fā)明實(shí)施例提供的集成電路模組結(jié)構(gòu)及其制作方法，通過(guò)在集成器件的接口上設(shè)置與之對(duì)應(yīng)連接的金屬圖形，實(shí)現(xiàn)剩余的功能電路，或者實(shí)現(xiàn)與剩余功能電路的直接電連接，無(wú)需使用錫焊球、銅柱等中間材料，大幅降低寄生電阻，解決了現(xiàn)有技術(shù)中由于焊球等的寄生電阻導(dǎo)致的集成器件中電容或電感的品質(zhì)因數(shù)大幅降低的問(wèn)題，避免了焊球的接入，實(shí)現(xiàn)了降低寄生電阻，提高集成器件的電容或電感的品質(zhì)因數(shù)，優(yōu)化集成器件性能的目的。

附圖說(shuō)明