[發明專利]一種太陽能金剛線電池背腐蝕工藝

在審

• 申請號: 201711274343.7
• 申請日: 2017-12-06
• 公開（公告）號: CN108133978A
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 黃鎮
• 申請（專利權）人: 中建材浚鑫科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 姚姣陽

本發明揭示了一種太陽能金剛線電池背腐蝕工藝，該工藝包括以下步驟：S1：初步配置背腐蝕溶液；選擇刻蝕槽，在刻蝕槽中初步配置背腐蝕溶液，S2：添加制絨添加劑；向S1步驟中配制的背腐蝕溶液中加入制絨添加劑，S3：放置硅片；向S2步驟中配置好的背腐蝕溶液中放入硅片；S4：采用鏈式滾輪槽體，讓擴散后硅片帶有PN結的那一面朝上，只對非PN結面及四邊腐蝕，在液位上漂浮滑行過刻蝕槽；S5：背腐蝕溶液溫度為5～15度，經過刻蝕槽的時間為1.5～2m/min。本發明通過添加制絨添加劑，優化了背腐蝕工藝，降低了反射率，形成了優質的絨面結構，增加電池對光的利用率，提高電池的轉換效率。

技術領域

本發明涉及太陽能電池板制造技術領域，更具體地說，涉及一種太陽能金剛線電池背腐蝕工藝。

背景技術

目前，單、多晶硅太陽電池的主要制造工藝已經標準化，其主要步驟如下：

a.化學清洗及表面織構化處理：通過化學反應使原本光亮的硅片表面形成凸凹不平的結構以增加光的吸收。

b.擴散：P型硅片在磷擴散后表面變成N型，形成PN結，使得硅片具有光伏效應。擴散的濃度、深度以及均勻性直接影響太陽電池的電性能，擴散進雜質的總量用方塊電阻來衡量，雜質總量越小，方塊電阻越大。

c.周邊刻蝕：該步驟的目的在于去掉擴散時在硅片邊緣形成的將PN結兩端短路的導電層。

d.沉積減反射膜：目前主要有兩類減反射膜，氮化硅膜和氧化鈦膜，主要起減反射和鈍化的作用。

e.印刷電極。

f.燒結：是印刷電極與硅片形成合金的過程。

周邊刻蝕現有技術一般為采用化學溶液腐蝕對硅片進行的處理，刻蝕槽工藝：硝酸氫氟酸硫酸混合液體，硅背刻蝕去除厚度：1-1.5 um，堿洗槽濃度：5%（質量百分比），酸洗槽濃度：7%（質量百分比），背刻蝕采用特殊設備，讓硅片漂浮在液位上，只對非PN結面及四邊腐蝕的一種工藝。

在太陽能電池的主要制造工藝中，清洗制絨工藝是第一步工藝，其作用是去除硅片制造過程中留存在硅片表面的雜質，然后在硅片的表面形成均勻的小且密的絨面，增加對光的吸收，同時保證后續的磷擴散工藝、PECVD工藝，進而保證絲網燒結后太陽能電池的效率，所以經過清洗制絨工藝后的硅片表面絨面的大小、形態、均勻度以及硅片表面的光亮程度對整個電池片的生產和其最終轉換效率有著至關重要的影響。

由于金剛線切片工藝逐步成熟，其成本低成為目前多晶電池主要生產原材料，傳統砂線切片工藝逐步退出電池片制造生產。金剛線在原材料保持優勢的同時，其電池工藝也在發生變化，其中影響最大的就是清洗制絨工藝，需使用特殊添加劑導入才可使硅片形成一定的絨面結構，降低反射率。目前行業內專攻于清洗制絨這一前處理工藝，在背腐蝕工藝卻很少有新的突破。

因此，如何提供一種太陽能金剛線電池背腐蝕工藝已成為目前業界亟需解決的技術問題。

發明內容

本發明的目的就是為了解決現有技術中存在的上述問題，提供一種太陽能金剛線電池背腐蝕工藝。

本發明的目的將通過以下技術方案得以實現：一種太陽能金剛線電池背腐蝕工藝，該工藝包括以下步驟：

S1：初步配置背腐蝕溶液；

選擇刻蝕槽，在刻蝕槽中初步配置背腐蝕溶液，背腐蝕溶液包括硝酸、氫氟酸、硫酸和水的混合液，所述硝酸、氫氟酸、硫酸和水的溶液體積比為265L：24L：70L：80L；

S2：添加制絨添加劑；

向S1步驟中配制的背腐蝕溶液中加入制絨添加劑，該制絨添加劑的體積比為1～1.5L；

S3：放置硅片 ；