[發明專利]改善多晶硅側壁粗糙度的制備方法在審
| 申請號： | 201711265860.8 | 申請日： | 2017-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN108231537A | 公開（公告）日： | 2018-06-29 |
| 發明（設計）人： | 李士顏;劉昊;何志強 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶硅側壁 粗糙度 制備 多晶硅 刻蝕 多晶硅表面 多晶硅工藝 多晶硅生長 自對準工藝 工藝條件 刻蝕線條 器件性能 新型工藝 氧化過程 成品率 窄線寬 自對準 自氧化 側壁 溝道 濕氧 粗糙 腐蝕 優化 應用 | ||
1.一種改善多晶硅側壁粗糙度的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
(1)外延層(1)上生長二氧化硅層(2)；
(2)二氧化硅層(2)上生長多晶硅層(3)；
(3)高溫氧化多晶硅層(3)形成多晶硅氧化層(4)；
(4)濕法腐蝕去除多晶硅氧化層(4)；
(5)通過光刻和干法刻蝕多晶硅層(3)形成多晶硅線條圖形；
(6)高溫氧化多晶硅層(3)形成多晶硅線條氧化層(5)；
(7)濕法腐蝕去除多晶硅線條氧化層(5)；
(8)多晶硅層(3)自氧化形成氧化層(6)。
2.根據權利要求1所述的改善多晶硅側壁粗糙度的制備方法，其特征在于：外延層(1)為硅、鍺或碳化硅。
3.根據權利要求1所述的改善多晶硅側壁粗糙度的制備方法，其特征在于：二氧化硅層(2)厚度20-100nm。
4.根據權利要求1所述的改善多晶硅側壁粗糙度的制備方法，其特征在于：多晶硅層(3)厚度200-3000nm。
5.根據權利要求1所述的改善多晶硅側壁粗糙度的制備方法，其特征在于：對多晶硅層(3)進行高溫氧化采用干氧工藝、濕氧工藝或兩種氧化工藝相結合，氧化溫度700-1300℃，氧化時間1-15min。
6.根據權利要求1所述的改善多晶硅側壁粗糙度的制備方法，其特征在于：濕法腐蝕采用HF或BOE腐蝕液，腐蝕時間30-600s。
7.根據權利要求1所述的改善多晶硅側壁粗糙度的制備方法，其特征在于：多晶硅自氧化采用溫度漸變氧化工藝、干氧工藝及濕氧工藝相結合的氧化方式。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
