[發明專利]一種采用斜邊漸變結構的磁場探頭

有效

• 申請號: 201711257412.3
• 申請日: 2017-12-04
• 公開（公告）號: CN108051654B
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發明（設計）人: 閻照文;劉偉
• 申請（專利權）人: 北京航空航天大學
• 主分類號: G01R29/08
• 分類號: G01R29/08;G01R29/12;G01R33/02
• 代理公司: 11232 北京慧泉知識產權代理有限公司
• 代理人: 王順榮;唐愛華<國際申請>=<國際公布>

1.一種采用斜邊漸變結構的磁場探頭，其特征在于：包括金屬環結構、接地過孔、帶狀線窄柄、帶狀線寬柄、漸變斜邊結構、信號過孔和轉接頭；

所述的金屬環結構位于帶狀線窄柄的一端，且金屬環結構的一個臂直接與帶狀線窄柄的信號線相連接，另一個臂經過延長線通過接地過孔與帶狀線窄柄上屏蔽層和帶狀線窄柄下屏蔽層相連接；

所述的接地過孔目的是將金屬環結構和帶狀線窄柄構成通路,其位于金屬環結構的一個臂的延長線的末端,接地過孔與帶狀線窄柄的上層屏蔽地和帶狀線窄柄下層屏蔽地直接相連接；

所述的帶狀線窄柄由帶狀線窄柄介質、帶狀線窄柄下屏蔽層和帶狀線窄柄上屏蔽層組成；帶狀線窄柄下屏蔽層位于帶狀線窄柄介質下表面，帶狀線窄柄上屏蔽層位于帶狀線窄柄介質上表面；帶狀線窄柄的另一端與帶狀線寬柄連接，帶狀線窄柄的信號線直接與帶狀線寬柄的信號線相連接，帶狀線窄柄的下屏蔽層與帶狀線寬柄的下屏蔽層相連接，帶狀線窄柄的上屏蔽層和帶狀線寬柄的上屏蔽層相連接；

所述的帶狀線寬柄由帶狀線寬柄介質、帶狀線窄寬柄下屏蔽層和帶狀線寬柄上屏蔽層組成；帶狀線寬柄下屏蔽層位于帶狀線寬柄介質下表面，帶狀線寬柄上屏蔽層位于帶狀線寬柄介質上表面；

所述漸變斜邊結構包括漸變斜邊結構介質、漸變斜邊結構上屏蔽層和漸變斜邊結構下屏蔽層組成，漸變斜邊結構下屏蔽層位于漸變斜邊結構介質的下表面，漸變斜邊結構的上屏蔽層位于漸變斜邊結構介質的上表面；漸變斜邊結構的一個直角邊與帶狀線窄柄相連接，漸變斜邊結構的另一個直角邊與帶狀線寬柄相連接，用于減弱連接帶狀線窄柄和帶狀線寬柄的結構突變帶來的影響；

所述信號過孔和轉接頭位于帶狀線寬柄上，信號過孔貫穿帶狀線寬柄介質與帶狀線寬柄的信號線相連接，信號過孔與帶狀線寬柄上屏蔽層和帶狀線寬柄下屏蔽層相隔離，防止短路；轉接頭通過信號過孔固定在帶狀線寬柄上，將探頭測試到的信號傳輸給測試設備。

2.根據權利要求1所述的一種采用斜邊漸變結構的磁場探頭，其特征在于：所述金屬環結構為類似于“U”型結構形式，左右兩個臂位于帶狀線窄柄介質中以提高探頭強度。

3.根據權利要求1所述的一種采用斜邊漸變結構的磁場探頭，其特征在于：所述接地過孔的形式為金屬通孔。

4.根據權利要求1所述的一種采用斜邊漸變結構的磁場探頭，其特征在于：所述漸變斜邊結構整體俯視圖為直角三角形。