[發明專利]存儲電路和操作存儲電路的方法

有效

• 申請號: 201711248677.7
• 申請日: 2017-12-01
• 公開（公告）號: CN108172252B
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 簡·奧特斯泰特;羅賓·博赫;格爾德·迪舍爾;貝恩德·邁爾;克里斯蒂安·彼得斯;斯特芬·索納卡爾布
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G11C8/16
• 分類號: G11C8/16;G11C8/14
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 康建峰;杜誠

公開了一種存儲電路和操作存儲電路的方法。在各種實施例中，提供了一種存儲電路。存儲電路可以包括：沿著多個行和多個列被布置在電可編程非易失性存儲單元陣列中的多個電可編程存儲單元；多個字線，每個字線與多個存儲單元的多個字部耦接，其中每個字部被配置成存儲數據字；以及與多個重疊部耦接的至少一個重疊字線，每個重疊部包括多個重疊存儲單元，其中多個重疊部中的每一個包括重疊字，其中存儲電路被配置成：針對多個字線中的每一個，從每個字部與多個重疊部中的一個重疊部同時進行讀取，從而提供對數據字和重疊字執行的邏輯運算的結果作為讀取操作的輸出。

技術領域

各種實施例總體上涉及存儲電路和操作存儲電路的方法。

背景技術

在基本的典型布置中，存儲單元可以以矩陣方式布置，其中，在一個方向上，存儲單元可以連接至公共字線，而在正交方向上它們可以連接至公共位線。更多的層級可以基于這種布置，但在本文中這可能是不相關的。

通常，“擦除”操作可以影響連接至至少一個字線的所有存儲單元，從而將它們全部設置為限定未寫入狀態的值，例如為“1”；“寫入”操作可以影響連接至一個字線的一些存儲單元，從而將它們設置為限定寫入狀態的值，例如為“0”，其中，可以通過位線來選擇要寫入的特定存儲單元；并且“讀取”操作可以讀取連接至一個字線的一些存儲單元，從而產生由“1”和“0”組成的數據，其中，可以通過位線來選擇要讀取的特定存儲單元。

對于所有這些操作，地址可以定義哪個字線和(擦除操作除外)哪些位線將被操作。

對于高度安全的存儲器的操作，可能必要的是，即使在對芯片進行物理訪問的攻擊者的情況下，仍能夠可靠地驗證對預期的存儲單元執行或實際上已經執行了如擦除、寫入和讀取的存儲器操作。

如果必須假設攻擊者不僅能夠操縱擦除、寫入和/或讀取操作，而且還能夠操縱驗證操作本身，則這可能是難以實現的。

目前可以通過使用地址相關數據加密來部分地實現該目的。但是，并非所有相關情況都可以被此覆蓋。

發明內容

在各種實施例中，提供了一種存儲電路。存儲電路可以包括：沿著多個行和多個列被布置在電可編程非易失性存儲單元陣列中的多個電可編程存儲單元；多個字線，每個字線與多個存儲單元的多個字部耦接，其中每個字部被配置成存儲數據字；以及與多個重疊(overlay)部耦接的至少一個重疊字線，每個重疊部包括多個重疊存儲單元，其中多個重疊部中的每一個包括重疊字，其中存儲電路被配置成：針對多個字線中的每一個，從每個字部與多個重疊部中的一個重疊部同時進行讀取，從而提供對數據字和重疊字執行的邏輯運算的結果作為讀取操作的輸出。

附圖說明

在附圖中，相同的附圖標記通常在所有不同的視圖中指代相同的部分。附圖不一定按比例繪制，而是通常重點說明本發明的原理。在下面的描述中，參考以下附圖來描述本發明的各種實施例，在附圖中：

圖1A和1B示出了根據各種實施例的存儲電路的示意圖；

圖2示出了根據各種實施例的操作存儲電路的方法的圖示；

圖3示出了根據各種實施例的在存儲電路中和在操作存儲電路的方法中使用的示例性重疊字線數據；

圖4示出了根據各種實施例的操作存儲電路的方法的流程圖；

圖5示出了根據各種實施例的操作存儲電路的方法的圖示；以及

圖6示出了根據各種實施例的操作存儲電路的方法的流程圖。

具體實施方式

以下詳細描述參考附圖，附圖以說明的方式示出了可以實踐本發明的特定細節和實施例。

詞語“示例性”在本文中用于表示“用作示例、實例或說明”。本文中描述為“示例性”的任何實施例或設計不一定被解釋為比其它實施例或設計更為優選或更有利。