[發明專利]具有電阻變化材料的存儲器件和該存儲器件的操作方法

有效

• 申請號: 201711247786.7
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN108281167B
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 林菜昱;樸賢國;鮮于楨;吳榮訓;李墉焌
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周祺

1.一種存儲器件，所述存儲器件包括：

存儲器單元陣列，至少包括第一電阻式存儲器單元和第二電阻式存儲器單元，其中所述第一電阻式存儲器單元和所述第二電阻式存儲器單元各自包括電阻變化材料，并且各自被配置為根據電阻的值存儲不同的數據；

緩沖器，包括分別與所述第一電阻式存儲器單元和所述第二電阻式存儲器單元相對應的第一存儲區域和第二存儲區域；以及

控制電路，被配置為接收要編程到所述存儲器單元陣列的程序數據，比較存儲在所述第一存儲區域中的第一數據和存儲在所述第一電阻式存儲器單元中的第二數據，并且響應于比較所述第一數據和所述第二數據，確定所述第一存儲區域和所述第二存儲區域中的一個作為所述程序數據要被寫入到的選定存儲區域。

2.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，所述控制電路被配置為當所述第一數據和所述第二數據相同時，將所述程序數據寫入所述第一存儲區域，并且當所述第一數據和所述第二個數據不同時，將所述程序數據寫入所述第二存儲區域。

3.根據權利要求1所述的存儲器件，還包括：

糾錯碼ECC單元，被配置為對存儲在所述存儲器單元陣列中的第二數據執行錯誤檢測和校正，

其中所述控制電路被配置為當確定能夠通過錯誤檢測和校正使所述第一數據和所述第二數據相同時，將所述程序數據寫入所述第一存儲區域，并且當確定不能通過錯誤檢測和校正使所述第一數據和所述第二數據相同時，將所述程序數據寫入所述第二存儲區域。

4.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，

所述控制電路包括指針控制電路，被配置為對指向所述程序數據要被寫入的目標存儲區域的寫指針進行控制，以及

所述指針控制電路還被配置為根據比較所述第一數據和所述第二數據的結果來控制所述寫指針改變所述程序數據要被寫入的目標存儲區域。

5.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，所述存儲器單元陣列、所述緩沖器和所述控制電路構成存儲器元件，所述存儲器件還包括被配置為向所述存儲器元件提供所述程序數據和寫命令的存儲器控制器。

6.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，

所述第一電阻式存儲器單元和所述第一存儲區域設置在第一存儲器元件中，以及

所述第二電阻式存儲器單元和所述第二存儲區域設置在與所述第一存儲器元件不同的第二存儲器元件中，

所述存儲器件還包括存儲器控制器，其被配置為向所述第一存儲器元件和所述第二存儲器元件提供所述程序數據和寫命令。

7.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，所述第一電阻式存儲器單元和所述第二電阻式存儲器單元各自包括可變電阻元件和訪問元件，所述可變電阻元件包括相變材料，所述訪問元件控制在所述可變電阻元件中流過的電流。

8.根據權利要求7所述的存儲器件，其中，所述訪問元件包括雙向閾值開關OTS。

9.一種操作存儲器件的方法，包括：

接收程序數據；

讀取存儲在所述存儲器件的緩沖器的第一存儲區域中的第一數據，其中所述第一存儲區域被寫指針指向；

讀取存儲在所述存儲器件的第一電阻式存儲器單元中的第二數據，所述第一電阻式存儲器單元與所述第一存儲區域相對應并根據電阻的值存儲不同的數據；

比較所述第一數據和所述第二數據；以及

當比較所述第一數據和所述第二數據產生第一結果時，將所述程序數據寫入所述第一存儲區域，并且當比較所述第一數據和所述第二數據產生與所述第一結果不同的第二結果時，控制所述寫指針指向所述緩沖器的與所述第一存儲區域不同的第二存儲區域。