[發明專利]一種IGBT器件及制造方法

有效

• 申請號: 201711245096.8
• 申請日: 2017-11-29
• 公開（公告）號: CN108010964B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 左義忠;王宇;王修忠;麻建國
• 申請（專利權）人: 吉林華微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/331
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 覃蛟

1.一種IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件包括絕緣柵場效應管、位于所述絕緣柵場效應管漏區的肖特基勢壘二極管，所述肖特基勢壘二極管和所述絕緣柵場效應管通過共用的N-漂移區復合，在所述肖特基勢壘二極管中通過肖特基勢壘接觸形成所述IGBT器件的一個發射結，所述IGBT的發射極位于所述絕緣柵場效應管的上表面、集電極位于肖特基勢壘二極管的下表面；

所述肖特基勢壘二極管還包括金屬硅化物、N+場終止層、絕緣阻擋層，其中，N+場終止層上表面全部與N-漂移區接觸，金屬硅化物的全部上表面和全部側壁與N+場終止層的一部分接觸，金屬硅化物還分別與絕緣阻擋層、集電極接觸，且所述集電極與場終止層構成歐姆接觸。

2.根據權利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述肖特基勢壘二極管中的半導體材料、所述絕緣柵場效應管中的半導體材料分別獨立地選擇硅材料，或碳化硅，或氮化鎵，所述硅材料包括非晶硅、單晶硅、多晶硅中的任一種。

3.根據權利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述絕緣柵場效應管是平面柵結構，或溝槽柵結構，或垂直結構，或橫向結構。

4.根據權利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，在所述肖特基勢壘二極管的金屬-半導體結中，肖特基接觸區呈小島形、網狀或條形。

5.根據權利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，在所述肖特基勢壘二極管的金屬-半導體結中，半導體材料是經過摻雜處理的，且鄰近金屬側的雜質濃度小于遠離金屬側的雜質濃度。

6.根據權利要求5所述的IGBT器件，其特征在于，在所述肖特基勢壘二極管的金屬-半導體結中，半導體材料在鄰近金屬側的摻雜濃度小于10¹⁷/cm³。