[發明專利]淺溝槽隔離的制造方法

有效

• 申請號: 201711241074.4
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN108091608B
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 宋箭葉
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、提供硅晶圓，在氧化硅生長爐管中進行第一氧化硅層的生長，所述第一氧化硅層形成在所述硅晶圓的表面；

步驟二、在氮化硅生長爐管中進行第二氮化硅層的生長，所述第二氮化硅層形成在所述硅晶圓的所述第一氧化硅層表面；

步驟三、去除所述硅晶圓背面的所述第二氮化硅層；采用如下分步驟：

步驟31、在CVD沉積腔中進行CVD沉積形成第四氧化硅層，所述第四氧化硅層位于所述硅晶圓正面的所述第二氮化硅層表面；所述第四氧化硅層的厚度為5nm～10nm；

步驟32、進行氮化硅層的濕法刻蝕去除所述硅晶圓背面的所述第二氮化硅層；所述硅晶圓正面的所述第二氮化硅層受所述第四氧化硅層的保護而保留；

步驟四、采用光刻工藝在所述硅晶圓的正面定義出淺溝槽的形成區域；

步驟五、對所述淺溝槽的形成區域的所述第四氧化硅層、所述第二氮化硅層、所述第一氧化硅層和所述硅晶圓的硅進行刻蝕形成淺溝槽；

步驟六、在氧化硅生長爐管中進行第三氧化硅層的生長，所述第三氧化硅層形成于所述淺溝槽的內側表面并作為所述淺溝槽的襯墊氧化層，利用步驟三中已經去除所述硅晶圓背面的所述第二氮化硅層的特點防止在所述第三氧化硅層的生長中產生所述第二氮化硅層的剝落。

2.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于：步驟32中的濕法刻蝕的刻蝕液為磷酸，利用磷酸對氧化硅和氮化硅的刻蝕的選擇性實現對所述硅晶圓正面的所述第二氮化硅層的保護以及對所述硅晶圓背面的所述第二氮化硅層的去除。

3.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于：所述CVD沉積腔的工藝氣體從所述CVD沉積腔的頂部流入并分布到所述硅晶圓的正面，實現在所述硅晶圓正面沉積所述第四氧化硅層。

4.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于：步驟一中所述第一氧化硅層形成于包括所述硅晶圓正反面在內的所有表面。

5.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于：步驟二中所述第二氮化硅層形成于包括所述硅晶圓正反面在內的所有的所述第一氧化硅層表面。

6.如權利要求1所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于：步驟六中，同一氧化硅生長爐管同時進行一片以上的所述硅晶圓的所述第三氧化硅層的生長，各所述硅晶圓背面的所述第二氮化硅層去除后，能防止各所述硅晶圓背面的所述第二氮化硅層的剝落并掉到相應的所述硅晶圓的表面。