[發明專利]一種聲表面波濾波器應用泛曝光的雙層膠剝離工藝

在審

• 申請號: 201711232805.9
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN108037637A
• 公開（公告）日: 2018-05-15
• 發明（設計）人: 劉紹侃;張少華;李善斌;蔣燕港
• 申請（專利權）人: 深圳華遠微電科技有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/42
• 代理公司: 廣東深宏盾律師事務所 44364
• 代理人: 徐文濤;李立秋

1.一種聲表面波濾波器應用泛曝光的雙層膠剝離工藝，其特征在于：包括如下步驟：

步驟1、清洗工藝：壓電材料的表面清洗：

步驟2、涂膠工藝：字壓電材料表面涂抹粘度為49CPS的第一層正性光刻膠；

步驟3、泛曝光處理：紫外光泛曝光對整枚晶片進行全部無掩膜版無差別充分曝光，照射涂好正性光刻膠的壓電材料，光刻膠曝光完全，光刻膠發生反應；

步驟4、二次涂膠工藝：在第一層正性光刻膠表面涂抹粘度為14CPS的第二層正性光刻膠；

步驟5、光刻工藝：紫外線透過光刻版透光區照射壓電材料，第二層正性光刻膠接觸到紫外線的區域發生反應；

步驟6、顯影工藝：第二層正性光刻膠接觸紫外線區域顯影掉，未接觸區域不反應，下方第一層正性光刻膠因已全部泛曝光，顯影后開口大小明顯大于上方第二層正性光刻膠，且下方存在側向顯影，形成類似傳統雙層膠的類“倒梯形”的結構形式；

步驟7、鍍膜工藝：選擇合適的鍍膜設備蒸發鍍膜；步驟8、剝離工藝：將鍍膜后的半成品浸泡酒精，20-30分鐘即可剝離出平滑的金屬指條。

2.根據權利要求1所述的聲表面波濾波器應用泛曝光的雙層膠剝離工藝，其特征在于：在步驟2中，以轉速5000轉/分旋涂第一層正性光刻膠。

3.根據權利要求1所述的聲表面波濾波器應用泛曝光的雙層膠剝離工藝，其特征在于：在步驟4中，以轉速3000轉/分旋涂第二層正性光刻膠。

4.根據權利要求1所述的聲表面波濾波器應用泛曝光的雙層膠剝離工藝，其特征在于：所述步驟2中，第一層正性光刻膠厚22000埃。

5.根據權利要求1所述的聲表面波濾波器應用泛曝光的雙層膠剝離工藝，其特征在于：所述步驟4中，第二層正性光刻膠厚15000埃。

6.根據權利要求1所述的聲表面波濾波器應用泛曝光的雙層膠剝離工藝，其特征在于：在步驟7中，鍍膜厚度小于第一層正性光刻膠厚的一半。