[發(fā)明專利]一種集成有光電轉(zhuǎn)換模塊的智能手機(jī)

在審

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• 申請日: 2017-11-29
• 公開（公告）號: CN108011998A
• 公開（公告）日: 2018-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李國強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 李國強(qiáng)
• 主分類號: H04M1/02
• 分類號: H04M1/02;H01L31/074
• 代理公司: 深圳市精英專利事務(wù)所 44242
• 代理人: 馮筠

1.一種集成有光電轉(zhuǎn)換模塊的智能手機(jī)，其特征在于：包括手機(jī)顯示屏、主板、后蓋，所述主板包括主板本體且主板本體的一側(cè)設(shè)置有CPU插槽，CPU插槽內(nèi)設(shè)置有CPU供電底板且CPU插槽的一側(cè)設(shè)置有CPU供電口；主板本體的一端設(shè)置有主板接電口；CPU插槽的一側(cè)設(shè)置有溫度監(jiān)測器且溫度監(jiān)測器的一側(cè)設(shè)置有電量分配器，所述后蓋上集成有光電轉(zhuǎn)換模塊，所述光電轉(zhuǎn)換模塊包括背電極、P型單晶硅襯底、P型單晶硅納米柱陣列、N型氧化鋅層以及上電極層，所述P型單晶硅納米柱陣列和所述N型氧化鋅層形成徑向異質(zhì)PN結(jié)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有光電轉(zhuǎn)換模塊的智能手機(jī)，其特征在于：所述背電極的材質(zhì)為銀、鋁或銀鋁合金，所述背電極的厚度為50‐100納米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有光電轉(zhuǎn)換模塊的智能手機(jī)，其特征在于：所述P型單晶硅襯底的厚度為100‐200微米、所述P型單晶硅納米柱陣列的單個P型單晶硅納米柱的長度為2‐8微米，所述P型單晶硅納米柱的直徑為500‐800納米，相鄰P型單晶硅納米柱的間距為1‐3微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有光電轉(zhuǎn)換模塊的智能手機(jī)，其特征在于：所述N型氧化鋅層的厚度為50‐200納米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有光電轉(zhuǎn)換模塊的智能手機(jī)，其特征在于：所述上電極的材質(zhì)為銅、銀、鋁中的一種或多種，所述上電極的厚度為10‐20納米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有光電轉(zhuǎn)換模塊的智能手機(jī)，其特征在于：所述CPU插槽的邊側(cè)設(shè)置有無機(jī)散熱層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有光電轉(zhuǎn)換模塊的智能手機(jī)，其特征在于：所述主板本體的兩側(cè)設(shè)置有熱熔柱。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有光電轉(zhuǎn)換模塊的智能手機(jī)，其特征在于：所述主板本體的兩端設(shè)置有卡槽且所述卡槽的一側(cè)設(shè)置有U型槽。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有光電轉(zhuǎn)換模塊的智能手機(jī)，其特征在于：所述溫度監(jiān)測器電性連接所述電量分配器；所述主板接電口電性連接所述電量分配器且所述電量分配器電性連接所述CPU供電口，所述CPU供電口電性連接所述CPU供電底板。