[發明專利]極紫外光光刻系統、液滴產生器的靶材供料系統及將靶材連續供料至液滴產生器的系統

在審

• 申請號: 201711219782.8
• 申請日: 2017-11-29
• 公開（公告）號: CN109507849A
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 蔡明訓
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;張福根

本公開實施例提供極紫外光光刻系統。此系統包含極紫外光掃描模塊，極紫外光收集器用于收集極紫外光輻射并將其引導至極紫外光掃描模塊，液滴產生器用于產生熔融態金屬的液滴，脈沖激光產生器作用于熔融態的金屬液滴，以產生作為極紫外光輻射來源的等離子體，以及靶材供料系統。靶材供料系統包含用于容納金屬的容器，加熱裝置配置為加熱容器內的金屬至高于金屬的熔化溫度的溫度，以及供料管具有連接至容器的上游端與和連接至液滴產生器的下游端，使得容器與液滴產生器流體連通。

技術領域

本公開實施例涉及光刻系統，且特別涉及極紫外光光刻系統。

背景技術

半導體集成電路(integrated circuit，IC)產業已經歷指數型成長。集成電路的材料和設計上的技術發展已經生產好幾世代的集成電路，且每一世代都具有比前一世代更小和更復雜的電路。在集成電路發展的過程中當幾何尺寸(亦即，使用制造工藝可以產生的最小元件(或線路))減小的同時，功能密度(亦即，每芯片面積的互連裝置的的數量)通常也增加。這個尺寸縮減工藝通常通過增加生產效率和降低相關成本而提供許多好處。這樣的尺寸縮減也增加了集成電路工藝和制造的復雜度。為了實現這些進展，在集成電路工藝和制造上需要類似的發展。舉例而言，執行更高分辨率的光刻工藝的需求愈來愈大。其中一個光刻工藝為極紫外光光刻(extreme ultraviolet lithography，EUVL)。極紫外光光刻采用的掃描器是使用在極紫外光(EUV)區的光，其波長約1nm至100nm。一些極紫外光掃描器提供縮小四倍的投影曬像(projection printing)，其類似于一些光學掃描器，除了極紫外光掃描器使用反射光學，而不是折射光學，亦即使用鏡子取代透鏡。

因此，雖然現有的光刻技術通常對于其預期的目的已經足夠，但是在各個方面還未完全令人滿意。

發明內容

本公開的一些實施例提供極紫外光(extreme ultraviolet，EUV)光刻系統。此系統包含極紫外光掃描模塊；用于收集極紫外光輻射且將其引導至極紫外光掃描模塊的極紫外光收集器；用于產生熔融態金屬液滴的液滴產生器；作用于熔融態金屬液滴，以產生等離子體作為極紫外光輻射的來源的脈沖激光產生器；以及靶材供料系統。靶材供料系統包含用于容納金屬的容器，加熱裝置配置為將容器內的金屬加熱至高于金屬的熔化溫度的溫度，以及供料管，其具有連接至容器的上游端和連接至液滴產生器的下游端，使得容器與液滴產生器流體連通。

本公開的一些實施例也提供液滴產生器的靶材料供料系統，其包含用于容納熔融態金屬的容器；加熱裝置配置為將容器內的金屬加熱至高于金屬的熔化溫度的溫度；以及供料管，其具有連接至容器的上游端和連接至液滴產生器的下游端，使得容器與液滴產生器流體連通。

此外，本公開的一些實施例提供將靶材連續供料至液滴產生器的系統。此系統包含用于容納熔融態金屬的第一容器和第二容器；加熱裝置配置為將第一容器和第二容器內的金屬加熱至高于金屬的熔化溫度的溫度；閥連接至第一容器和第二容器，且閥至少在第一位置和第二位置之間為可切換的；以及供料管，其具有連接至閥的上游端和連接至液滴產生器的下游端，使得閥與液滴產生器流體連通，其中在第一位置，第一容器與液滴產生器流體連通，且在第二位置，第二容器與液滴產生器流體連通。

附圖說明

為了讓本公開實施例的各個觀點能更明顯易懂，以下配合所附附圖作詳細說明。應該注意，根據產業的標準范例，各個部件(features)未必按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或減小。

圖1為具有液滴產生器的極紫外光光刻系統的示意圖。

圖2為根據本公開的一些實施例的具有靶材供料系統的極紫外光光刻系統的圖解示意圖。

圖3為根據本公開實施例的一些觀點，圖2的極紫外光光刻系統的靶材供料系統的靶材供料管的一部分的圖解示意圖。