[發(fā)明專利]開關(guān)電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711217707.8
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN108123707B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 利行健;進藤祐輔;鈴木智貴
• 申請（專利權(quán)）人: 豐田自動車株式會社;株式會社電裝
• 主分類號: H03K17/567
• 分類號: H03K17/567
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何沖;黃隸凡

本發(fā)明提供開關(guān)電路，其與流過并聯(lián)電路的電流對應(yīng)而準確切換控制。該開關(guān)電路具備：配線，其插入有含有第一IGBT和第二IGBT的并聯(lián)電路；和使第一IGBT和第二IGBT進行開關(guān)的控制電路。控制電路在導(dǎo)通定時使第一IGBT和第二IGBT都導(dǎo)通。當?shù)谝籌GBT和第二IGBT都處于導(dǎo)通狀態(tài)時若流過并聯(lián)電路的電流為閾值以下，控制電路實施在關(guān)斷定時之前關(guān)斷第一IGBT和第二IGBT中的一個、且在關(guān)斷定時關(guān)斷第一IGBT和第二IGBT中的另一個的第一控制；當?shù)谝籌GBT和第二IGBT都處于導(dǎo)通狀態(tài)時若流過并聯(lián)電路的電流大于閾值，則控制電路實施在關(guān)斷定時使第一IGBT和第二IGBT都關(guān)斷的第二控制。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明公開的技術(shù)涉及開關(guān)電路。

背景技術(shù)

專利文獻1中，公開了將并聯(lián)連接的兩個IGBT(絕緣柵雙極晶體管)用于進行開關(guān)的開關(guān)電路。作為該開關(guān)電路，在流過并聯(lián)電路的電流較大時，使兩個IGBT同時導(dǎo)通/關(guān)斷。此時，電流分散流過兩個IGBT，降低施加于各IGBT上的負載。另外，作為該開關(guān)電路，在流過并聯(lián)電路的電流較小時，在關(guān)斷定時使一個IGBT關(guān)斷。另一個IGBT維持在始終關(guān)斷狀態(tài)或在關(guān)斷定時之前關(guān)斷。此時，通過在關(guān)斷定時使一個IGBT關(guān)斷，從而能夠抑制關(guān)斷損耗。

專利文獻1：日本特開2016-146717號公報。

專利文獻1的技術(shù)中，基于之前并聯(lián)電路處于導(dǎo)通狀態(tài)時的電流以及根據(jù)該電流計算出的預(yù)測值，切換控制方法。然而，該方法無法準確預(yù)測下次并聯(lián)電路導(dǎo)通時流過的電流，難以根據(jù)電流適當?shù)厍袚Q控制方法。因此，有可能導(dǎo)致一個IGBT處于導(dǎo)通狀態(tài)時大電流流過并聯(lián)電路，對處于導(dǎo)通狀態(tài)的IGBT施加過大的負載。所以，本發(fā)明提供一種能夠與流過并聯(lián)電路的電流對應(yīng)而準確地切換控制方法的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明公開的開關(guān)電路具備：配線，其插入有含有第一IGBT和第二IGBT的并聯(lián)電路；以及控制電路，其接收表示導(dǎo)通定時和關(guān)斷定時的信號輸入，并根據(jù)所述信號使所述第一IGBT和所述第二IGBT進行開關(guān)。在所述導(dǎo)通定時，所述控制電路使所述第一IGBT和所述第二IGBT這兩者都導(dǎo)通。當所述第一IGBT和所述第二IGBT這兩者處于導(dǎo)通狀態(tài)且流過所述并聯(lián)電路的電流為閾值以下時，所述控制電路實施第一控制，該第一控制為，在所述關(guān)斷定時之前關(guān)斷所述第一IGBT和所述第二IGBT中的一個關(guān)斷，并且在所述關(guān)斷定時關(guān)斷所述第一IGBT和所述第二IGBT中的另一個。當所述第一IGBT和所述第二IGBT這兩者都處于導(dǎo)通狀態(tài)且流過所述并聯(lián)電路的所述電流大于所述閾值時，則所述控制電路實施第二控制，該第二控制為，在所述關(guān)斷定時使所述第一IGBT和所述第二IGBT這兩者都關(guān)斷。

該開關(guān)電路中，控制電路在導(dǎo)通定時使第一IGBT和第二IGBT這兩者都導(dǎo)通。在導(dǎo)通定時難以預(yù)測流過并聯(lián)電路的電流。但是，在該階段，由于第一IGBT和第二IGBT這兩者都導(dǎo)通，所以電流分散流過第一IGBT和第二IGBT。因此，即使流過并聯(lián)電路的電流較大，也能防止在各IGBT中流過過大的電流。通過在導(dǎo)通定時起使電流開始流過并聯(lián)電路，從而能夠與流過并聯(lián)電路的電流對應(yīng)地進行控制。

在第一IGBT和第二IGBT這兩者都處于導(dǎo)通狀態(tài)且流過并聯(lián)電路的電流為閾值以下時，控制電路隨后實施第一控制。第一控制中，在關(guān)斷定時之前將第一IGBT和第二IGBT中的一個(以下稱為“在先IGBT”)關(guān)斷，并且在關(guān)斷定時關(guān)斷第一IGBT和第二IGBT中的另一個(以下稱為“在后IGBT”)。由于使在先IGBT先關(guān)斷，所以之后電流僅向在后IGBT流動。但是，因為流過并聯(lián)電路的電流較小，所以能夠抑制過大的電流流過在后IGBT。另外，因為在后IGBT是在先IGBT關(guān)斷后的關(guān)斷定時關(guān)斷，所以能夠抑制關(guān)斷損耗。