[發明專利]儲存裝置及其操作方法

有效

• 申請號: 201711213007.1
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN108694977B
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: 徐智賢
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C15/04
• 分類號: G11C15/04
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

1.一種半導體存儲器件，該半導體存儲器件包括：

存儲單元陣列，該存儲單元陣列包括多個存儲塊；

外圍電路，該外圍電路被配置為對所述存儲單元陣列執行操作；以及

控制邏輯，該控制邏輯被配置為在執行所述操作的同時基于在所述多個存儲塊當中的內容可尋址存儲CAM塊中存儲的設置信息來控制所述外圍電路，

其中，所述設置信息包括向在所述存儲單元陣列中包括的多個存儲單元施加的通過電壓的電平，

其中，所述通過電壓的電平根據所述多個存儲單元的編程速度來確定，并且

其中，所述通過電壓根據所述多個存儲單元的編程速度的平均值來確定。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述通過電壓包括在對所述多個存儲單元執行的編程操作或讀取操作期間向未被選擇的存儲單元施加的編程通過電壓或讀取通過電壓。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述通過電壓隨著所述多個存儲單元的所述編程速度更高而具有更高的電平。

4.一種儲存裝置，該儲存裝置包括：

一個或更多個半導體存儲器件，各個半導體存儲器件包括多個存儲單元；以及

存儲控制器，該存儲控制器被配置為根據所述一個或更多個半導體存儲器件中的每一個的所述多個存儲單元的編程速度的平均值來設置所述一個或更多個半導體存儲器件中的每一個的通過電壓的電平。

5.根據權利要求4所述的儲存裝置，其中，所述存儲控制器包括：

電壓設置單元，該電壓設置單元被配置為測量所述一個或更多個半導體存儲器件的所述編程速度，根據所測量的編程速度的平均值中的每一個來設置所述通過電壓，并且向所述半導體存儲器件中的每一個提供所述通過電壓。

6.根據權利要求5所述的儲存裝置，其中，所述存儲控制器被配置為發送用于所述多個存儲單元中的一部分或所有所述多個存儲單元的編程命令，并且發送用于獲取所述編程命令的執行結果的讀取命令。

7.根據權利要求6所述的儲存裝置，其中，所述存儲控制器被配置為響應于所述讀取命令而根據由所述一個或更多個半導體存儲器件中的每一個提供的讀取數據對關斷單元的數量進行計數。

8.根據權利要求7所述的儲存裝置，其中，所述電壓設置單元被配置為將所述關斷單元的數量與一個或更多個基準值進行比較，并且確定所述一個或更多個半導體存儲器件中的每一個的所述通過電壓。

9.根據權利要求4所述的儲存裝置，其中，所述存儲控制器被配置為使用參數設置命令或特征設置命令向所述一個或更多個半導體存儲器件中的每一個提供所述通過電壓。

10.根據權利要求9所述的儲存裝置，其中，所述一個或更多個半導體存儲器件中的每一個包括：

存儲單元陣列，該存儲單元陣列包括多個存儲塊；

外圍電路，該外圍電路被配置為對所述存儲單元陣列執行操作；以及

電壓控制單元，該電壓控制單元被配置為存儲在所述多個存儲塊當中的內容可尋址存儲CAM塊中存儲的設置信息。

11.根據權利要求10所述的儲存裝置，其中，所述一個或更多個半導體存儲器件中的每一個還包括：

控制邏輯，該控制邏輯被配置為在執行所述操作的同時基于在所述電壓控制單元中存儲的所述設置信息來控制所述外圍電路。

12.根據權利要求11所述的儲存裝置，其中，所述控制邏輯被配置為響應于從所述存儲控制器提供的所述參數設置命令或所述特征設置命令來改變或更新在所述電壓控制單元中存儲的所述設置信息。

13.根據權利要求4所述的儲存裝置，其中，所述通過電壓隨著所述多個存儲單元的編程速度更高而具有更高的電平。