[發明專利]超高密度透明平板顯示器有效
| 申請號: | 201711205168.6 | 申請日: | 2017-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN108122951B | 公開(公告)日: | 2022-01-25 |
| 發明(設計)人: | 韓成晚;樸恩智;李基炯 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3225 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;李彥麗 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 超高 密度 透明 平板 顯示器 | ||
本公開內容涉及超高密度透明平板顯示器。本公開內容提供了一種透明平板顯示器,其包括:在基底上沿垂直方向走線的驅動電流線、數據線和感測線;在基底上沿水平方向走線的掃描線和水平感測線;布置在驅動電流線與數據線之間的發射區域;以及布置在數據線與感測線之間的透明區域。
技術領域
本公開內容涉及超高密度透明平板顯示器。特別地,本公開內容涉及具有超高密度的透明有機發光二極管顯示器。
背景技術
現今,開發了各種平板顯示器(或“FPD”)以克服較重且體積龐大的陰極射線管(或“CRT”)的諸多缺點。平板顯示裝置包括液晶顯示裝置(或“LCD”)、場發射顯示器(“FED”)、等離子顯示板(或“PDP”)、電致發光裝置(或“EL”)等等。
作為自發光顯示裝置,電致發光裝置具有以下優點:響應速度非???,亮度非常高,且視角大。電致發光裝置可以被分類為無機發光二極管顯示器和有機發光二極管顯示器(或“OLED”)。由于具有良好的能量效率、較低的泄露電流和通過電流控制來表示顏色和亮度的容易性,所以更需要使用有機發光二極管的OLED。
圖1是示出有機發光二極管的結構的圖。如圖1所示,有機發光二極管包括有機發光材料層以及彼此面對的陰極和陽極,其中,有機發光材料層介于陰極和陽極之間。有機發光材料層包括空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、發射層EML、電子傳輸層ETL和電子注入層EIL。有機發光二極管由于來自在激發態下形成的激子的能量而發射光,其中,在激發態下空穴和電子在發射層EML重新組合。
有機發光二極管由于來自在激發態下形成的激子的能量而發射光,其中,在激發態下來自陽極的空穴和來自陰極的電子在發射層EML重新組合。有機發光二極管顯示器可以通過控制從圖1所示的有機發光二極管的發射層ELM生成并且發射的光的量(或“亮度”)來表示視頻。
具有良好的能量效率的使用有機發光二極管的OLED可以被分類為無源矩陣有機發光二極管顯示器(或PMOLED)和有源矩陣有機發光二極管顯示器(或AMOLED)。
有源矩陣有機發光二極管顯示器(或AMOLED)通過使用薄膜晶體管(或TFT)控制施加至有機發光二極管的電流來顯示視頻數據。在下文中,參照圖2和圖3,將關于根據相關技術的有機發光二極管顯示器進行說明。
圖2是示出有源矩陣有機發光二極管顯示器(或AMOLED)中的一個像素的結構的示例性電路圖。圖3是示出根據相關技術的AMOLED的結構的平面圖。圖4是用于示出根據相關技術的底部發射型AMOLED的結構的沿切割線I-I’的截面圖。
參照圖2和圖3,有源矩陣有機發光二極管顯示器包括開關薄膜晶體管ST、連接至開關薄膜晶體管ST的驅動薄膜晶體管DT以及連接至驅動薄膜晶體管DT的有機發光二極管OLE。通過將掃描線SL、數據線DL和驅動電流線VDD沉積在基底上,限定了像素區域。由于有機發光二極管沉積在像素區域內,所以其限定了發射區域。
開關薄膜晶體管ST被形成,在其形成的地方掃描線SL和數據線DL交叉。開關薄膜晶體管ST起作用以選擇連接至開關薄膜晶體管ST的像素。開關薄膜晶體管ST包括從柵極線GL分支的柵電極SG、與柵電極SG交疊的半導體通道層SA、源電極SS和漏電極SD。驅動薄膜晶體管DT起作用以驅動布置在由開關薄膜晶體管ST選擇的像素處的有機發光二極管OLE的陽極電極ANO。
驅動薄膜晶體管DT包括連接至開關薄膜晶體管ST的漏電極SD的柵電極DG、半導體通道層DA、連接至驅動電流線VDD的源電極DS、以及漏電極DD。驅動薄膜晶體管DT的漏電極DD連接至有機發光二極管OLE的陽極電極ANO。在陽極電極ANO與陰極電極CAT之間,布置有機發光層OL?;A(或低)電壓線VSS連接至陰極電極CAT。在驅動薄膜晶體管DT的柵電極DG與驅動電流線VDD之間,或者在驅動薄膜晶體管DT的柵電極DG與驅動薄膜晶體管DT的漏電極DD之間,形成存儲電容Cst。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





