[發明專利]一種基于SOI工藝的靜電保護器件及其構成的靜電保護電路在審
| 申請號： | 201711194469.3 | 申請日： | 2017-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN108063133A | 公開（公告）日： | 2018-05-22 |
| 發明（設計）人： | 單毅;董業民 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 鄧琪 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 soi 工藝 靜電 保護 器件 及其 構成 電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于SOI工藝的靜電保護器件，該器件為多指并聯的GGNMOS，其包括埋氧層、P阱區、源極、漏極和柵極，其特征在于，還包括P+接觸區和偽柵極，其中，
所述P+接觸區設置在所述源極的遠離所述漏極的一側，且所述P+接觸區與所述源極之間通過P阱區隔開；
所述偽柵極覆蓋在所述P+接觸區與所述源極之間的P阱區上。
2.根據權利要求1所述的基于SOI工藝的靜電保護器件，其特征在于，所述P阱區設置在所述埋氧層上；所述源極、漏極和P+接觸區間隔設置在所述P阱區頂部形成的凹槽中；所述柵極覆蓋在所述源極與漏極之間的P阱區上。
3.根據權利要求1所述的基于SOI工藝的靜電保護器件，其特征在于，所述源極、漏極和P+接觸區間隔設置在所述埋氧層上，且所述P+接觸區與源極之間、所述源極與漏極之間分別通過一P阱區隔開；所述柵極覆蓋在所述源極與漏極之間的P阱區上。
4.一種靜電保護電路，其特征在于，該電路包括權利要求1-3中任一項所述的靜電保護器件，其中，該器件的柵極、P+接觸區和源極接地，漏極接輸入端。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
