[發明專利]顯示裝置

有效

• 申請號: 201711192163.4
• 申請日: 2017-11-24
• 公開（公告）號: CN108155194B
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發明（設計）人: 劉敏鉆;許乃方
• 申請（專利權）人: 群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種顯示裝置，其特征在于，包含：

一第一基板；

一像素單元設置于該第一基板之上，包含：

一切換薄膜晶體管設置于該第一基板之上，其中，該切換薄膜晶體管包含一氧化物半導體層；

一驅動薄膜晶體管設置于該第一基板之上，其中，該驅動薄膜晶體管包含一硅半導體層；

一重置薄膜晶體管設置于該第一基板之上，其中，該重置薄膜晶體管包含一硅半導體層；

以及

一發光薄膜晶體管設置于該第一基板之上，其中，該發光薄膜晶體管包含一硅半導體層，

其中，該氧化物半導體層包含銦、鎵、以及氧；且在該氧化物半導體層中，氧的原子百分比比上銦和鎵的原子百分比的和大于或等于1且小于或等于3；

其中，該驅動薄膜晶體管、重置薄膜晶體管及發光薄膜晶體管其中之一的硅半導體層與該切換薄膜晶體管的氧化物半導體層于該第一基板的法線方向上部份重疊。

2.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，其中，該氧化物半導體層具有一第一區域及一第二區域，該第一區域位于該第二區域與該第一基板之間，且該第一區域中銦的濃度大于該第二區域中銦的濃度。

3.如權利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，其中，該第一區域中鎵的濃度小于該第二區域中鎵的濃度。

4.如權利要求3所述的顯示裝置，其特征在于，其中，該切換薄膜晶體管還包含一第一源極電極和一第一漏極電極，該第一源極電極和該第一漏極電極設置于該氧化物半導體層上，且該第一源極電極和該第一漏極電極與該第二區域接觸。

5.如權利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，其中，該氧化物半導體層還包含鋅，且該第一區域中鋅的濃度大于該第二區域中鋅的濃度。

6.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，其中，該氧化物半導體層還包含鋅，且在該氧化物半導體層中，銦和鎵的原子百分比的和比上鋅的原子百分比大于或等于1且小于或等于3。

7.如權利要求1所述的顯示裝置，還包含一柵極絕緣層設置于該氧化物半導體層之下，以及一鈍化層設置于該氧化物半導體層上，其特征在于，其中，該柵極絕緣層和該鈍化層分別包含氧化硅，且該柵極絕緣層中氧化硅的氧的濃度小于該鈍化層中氧化硅的氧的濃度。

8.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置還包含一顯示區域和一周邊區域，其中該周邊區域與該顯示區域相鄰，一第二晶體管包含一硅半導體層且設置于該周邊區域中。

9.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置還包含一顯示區域和一周邊區域，其中該周邊區域與該顯示區域相鄰，且該像素單元設置于該顯示區域中。

10.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，其中，該氧化物半導體層包含銦、鎵、鋅、以及氧；在該氧化物半導體層中，銦和鎵的原子百分比的和比上鋅的原子百分比大于或等于1且小于或等于3。