[發明專利]一種原子氣體腔室以及制備方法

有效

• 申請號: 201711174164.6
• 申請日: 2017-11-22
• 公開（公告）號: CN108107707B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 陳星;楊仁福;張振偉;薛瀟博;張旭
• 申請（專利權）人: 北京無線電計量測試研究所
• 主分類號: G04F5/14
• 分類號: G04F5/14
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

1.一種原子氣體腔室，其特征在于，包括：第一玻璃板、中間硅片層和第二玻璃板，對鍵合機的腔體內部抽真空，所述第一玻璃板、所述中間硅片層和所述第二玻璃板通過一次鍵合得到所述原子氣體腔室，其中：

所述中間硅片層中包含通孔，所述第二玻璃板上包含凹槽，滴入含有反應化合物的混合溶液；

所述通孔的位置與所述凹槽的位置相對，凹槽位于通孔一側，凹槽面積為通孔面積的1/4~1/2，凹槽深度為第二玻璃板厚度的1/3~1/2；

所述中間硅片層中的硅片為雙拋硅片，厚度為200μm~1000μm；

所述第一玻璃板厚度為200μm~500μm；

所述第二玻璃板厚度為500μm~2000μm。

2.根據權利要求1所述的原子氣體腔室，其特征在于，所述中間硅片層中包含通孔的數量根據所述原子氣體腔室的直徑大小確定。

3.一種原子氣體腔室的制備方法，其特征在于，包括：

根據確定的原子氣體腔室的直徑，通過蝕刻或者激光打孔的方式，在中間硅片層上刻蝕出設定數量的通孔；

根據在所述中間硅片層上刻蝕的所述通孔的位置，采用刻蝕的方式，在第二玻璃板上刻蝕設定數量的凹槽；

凹槽位于通孔一側，凹槽面積為通孔面積的1/4~1/2，凹槽深度為第二玻璃板厚度的1/3~1/2；

所述中間硅片層中的硅片為雙拋硅片，厚度為200μm~1000μm；

利用移液器向所述第二玻璃板的所述凹槽中滴入混合溶液；

通過鍵合機的夾具將第一玻璃板、所述中間硅片層和所述第二玻璃板夾好，并置于所述鍵合機的腔體內部，對鍵合機的腔體內部抽真空，以鍵合得到原子氣體腔室；

所述第一玻璃板厚度為200μm~500μm；

所述第二玻璃板厚度為500μm~2000μm。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述混合溶液中包含氯化銣/氯化銫、疊氮化鋇。

5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，置于所述鍵合機的腔體內部，對鍵合機的腔體內部抽真空，以鍵合得到原子氣體腔室，包括：

對所述鍵合機的腔體內部抽真空；

在真空度達到設定度數的情況下，抽出所述夾具；

對第一玻璃板、所述中間硅片層和所述第二玻璃板進行封裝，以鍵合得到原子氣體腔室。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，在封裝過程中，第二玻璃板的溫度小于第一玻璃板的溫度，溫度差為30℃~100℃。