[發明專利]半導體基底結構及半導體裝置

有效

• 申請號: 201711164274.4
• 申請日: 2017-11-21
• 公開（公告）號: CN109545853B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 迪瓦;陳柏安
• 申請（專利權）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/861;H01L29/06
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 賈磊;郭曉宇

1.一種半導體基底結構，其特征在于，包括：

一半導體基底，具有一第一導電類型；

一第一埋藏井區，設置于該半導體基底內，具有與該第一導電類型相反的一第二導電類型；以及

一第一埋層和一第二埋層，設置于該半導體基底內和該第一埋藏井區上，其中該第一埋層具有該第二導電類型，該第二埋層具有該第一導電類型，且該第一埋層具有一第一部分和一第二部分，該第二埋層位于該第一部分和該第二部分之間；

更包括：

一第二埋藏井區，設置于該第一埋藏井區內且具有該第一導電類型，其中該第一埋藏井區環繞該第二埋藏井區，且該第二埋藏井區直接接觸該第一埋層和該第二埋層。

2.如權利要求1所述的半導體基底結構，其特征在于，該半導體基底的頂面齊平于該第一埋層的頂面和該第二埋層的頂面，且該第一埋層的側壁對齊該第一埋藏井區的側壁。

3.如權利要求1所述的半導體基底結構，其特征在于，該第一埋層的摻雜濃度高于該第一埋藏井區的摻雜濃度。

4.如權利要求1所述的半導體基底結構，其特征在于，該第一埋層的摻雜濃度高于該第二埋藏井區的摻雜濃度，且該第二埋藏井區的摻雜濃度高于該第一埋藏井區的摻雜濃度。

5.如權利要求1所述的半導體基底結構，其特征在于，更包括：

一第三埋藏井區，設置于該第一埋藏井區內且具有該第二導電類型，其中該第三埋藏井區的摻雜濃度高于該第一埋藏井區的摻雜濃度，且該第三埋藏井區通過一部分的該第一埋藏井區與該第一埋層和該第二埋層隔開。

6.如權利要求1所述的半導體基底結構，其特征在于，該第一埋藏井區鄰接該第一埋層和該第二埋層，且該第一埋藏井區的厚度沿著該第一埋層至該第二埋層的方向漸減，其中該第一埋藏井區的剖面以該第二埋層的中心線為對稱軸具有兩側對稱的形狀。

7.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

一半導體基底，具有一第一導電類型；

一第一埋藏井區，設置于該半導體基底內，具有與該第一導電類型相反的一第二導電類型；

一第一埋層和一第二埋層，設置于該半導體基底內和該第一埋藏井區上，其中該第一埋層具有該第二導電類型，該第二埋層具有該第一導電類型，且該第一埋層具有一第一部分和一第二部分，該第二埋層位于該第一部分和該第二部分之間；

一外延層，設置于該半導體基底上，其中該外延層包括一第一井區、一第二井區和一第三井區，該第一井區和該第二井區具有該第一導電類型，該第三井區具有該第二導電類型，且該第二井區位于該第一井區和該第三井區之間；以及

一第一電極、一第二電極和一第三電極，設置于該外延層上，其中該第一電極與該第一井區電性連接，該第二電極與該第二井區電性連接，且該第三電極與該第三井區電性連接；更包括：

一第二埋藏井區，設置于該第一埋藏井區內且具有該第一導電類型，其中該第一埋藏井區環繞該第二埋藏井區，且該第二埋藏井區直接接觸該第一埋層和該第二埋層。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，該第三井區鄰接該第二井區、該第一埋層和該第二埋層。

9.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，該第一井區、該第二井區、該第一電極和該第二電極皆具有一第一部分和一第二部分，且該第一井區、該第二井區、該第一電極和該第二電極的該第一部分和該第二部分對稱設置于該第三電極和該第三井區的兩側。

10.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，更包括：

一第三埋藏井區，設置于該第一埋藏井區內且具有該第二導電類型，其中該第三埋藏井區通過一部分的該第一埋藏井區與該第一埋層和該第二埋層隔開。