[發(fā)明專利]終端外殼的制造方法、終端外殼與終端設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711157252.5 | 申請日: | 2017-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN107916414A | 公開(公告)日: | 2018-04-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 黃雙輝 | 申請(專利權)人: | 珠海市魅族科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C18/18 | 分類號: | C23C18/18;C23C18/32;C23C18/38;C23C18/52;C23C28/00 |
| 代理公司: | 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙)11343 | 代理人: | 尚志峰,汪海屏 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 終端 外殼 制造 方法 終端設備 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及終端制造技術領域,具體而言,涉及一種終端外殼的制造方法、一種終端外殼與一種終端設備。
背景技術
目前,市面上的手機中框鏡面效果多為不銹鋼鍛壓+CNC+拋光+PVD。此工藝加工難度大,重量偏重,成本高,而質量輕、成本低的鋁合金一般為噴砂氧化效果,表面為砂面,直接拋光+氧化也無法達到理想的鏡面效果。
發(fā)明內容
本發(fā)明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。
為此,根據本發(fā)明的第一方面實施例,本發(fā)明提供一種加工難度低、鏡面效果佳的終端外殼的制造方法。
根據本發(fā)明的第二方面實施例,本發(fā)明提供一種終端外殼。
根據本發(fā)明的第三方面實施例,本發(fā)明提供一種終端設備。
有鑒于此,根據本發(fā)明的第一方面實施例,本發(fā)明提出了一種終端外殼的制造方法,包括:對原料粗加工,得到粗胚;對粗胚進行多次拋光與多次表面鍍層,得到半成品外殼;對半成品外殼進行鍍膜,得到成品外殼。
本發(fā)明提出的終端外殼的制造方法,通過多次對粗胚進行拋光與多次鍍層,為外殼提供了足夠的平整度,并在半成品外殼的表面進行鍍膜,為成品外殼的表面帶來極佳的反射效果,進而保證了外殼具有極佳的鏡面效果,并且,該方法僅對外殼進行表面處理,加工過程簡單,良品率高。
另外,本發(fā)明提供的上述實施例中的終端外殼的制造方法還可以具有如下附加技術特征:
在上述技術方案中,優(yōu)選地,原料為鋁合金。
在該技術方案中,鋁合金質地輕、強度高、成本低,易塑形,因此,由鋁合金制成的外殼具有質地輕、強度高、生產成本低的特點。
在上述任一技術方案中,優(yōu)選地,對原料粗加工,得到粗胚的步驟具體包括:通過數控技術將原料加工成粗胚。
在該技術方案中,通過數控技術將原料加工成粗胚,保證了外殼的精度與表面粗糙度,保證了外殼的良品率與外殼的鏡面效果。
在上述任一技術方案中,優(yōu)選地,對所述粗胚進行多次拋光與多次表面鍍層,得到半成品外殼的步驟具體包括:對粗胚進行第一次拋光;對進行第一次拋光后的粗胚進行鍍銅。
在該技術方案中,通過對粗胚進行第一次拋光后,并在粗胚表面進行鍍銅,以改善粗胚粗胚表面的性狀,便于其他鍍層的附著,為下一步進行第二次鍍層做準備。
在上述任一技術方案中,優(yōu)選地,對粗胚進行多次拋光與多次表面鍍層,得到半成品外殼的步驟還具體包括:對進行鍍銅后的粗胚進行第二次拋光;對進行第二次拋光后的粗胚進行鍍鎳。
在該技術方案中,通過對鍍銅后的粗胚進行第二次拋光,并在粗胚的鍍銅層表面進行鍍鎳,提升外殼的耐磨性與防腐蝕性。
在上述任一技術方案中,優(yōu)選地,對粗胚進行多次拋光與多次表面鍍層,得到半成品外殼的步驟還具體包括:對進行鍍鎳后的粗胚進行鍍鉻,得到半成品外殼。
在該技術方案中,通過對粗胚的鍍鎳層表面進行鍍鉻,得到半成品外殼,以提升外殼的表面硬度,并保證外殼具有長時間的反射效果,提升鏡面效果的保持時間。
在上述任一技術方案中,優(yōu)選地,對半成品外殼進行鍍膜,得到成品外殼的步驟具體包括:通過真空鍍膜技術對半成品外殼進行真空鍍膜,得到成品外殼。
在該技術方案中,通過對半成品外殼進行真空鍍膜,保證外殼具有極佳的硬度與極佳的鏡面反射效果。
在上述任一技術方案中,優(yōu)選地,通過化學鍍技術對粗胚進行多次所述表面鍍層。
在該技術方案中,通過對粗胚進行化學鍍層,利用化學鍍工藝簡單,節(jié)能環(huán)保的特點,實現環(huán)保生產,以及降低外殼的生產成本。
根據本發(fā)明第二方面實施例,本發(fā)明提出了一種終端外殼,通過上述技術方案中任一項所述的終端外殼的制造方法制造成型。
本發(fā)明提出的終端外殼,因通過如上述技術方案中任一項所述的終端外殼的制造方法制造成型,因此,具有如上述技術方案中任一項所述的終端外殼的制造方法的全部的有益效果,在此不再一一陳述。
根據本發(fā)明第三方面實施例,本發(fā)明提出了一種終端設備,包括:如上述技術方案中任一項所述的終端外殼。
本發(fā)明提出的終端設備,因包括如上述技術方案中任一項所述的終端外殼,因此,具有如上述技術方案中任一項所述的終端外殼的全部的有益效果,在此不再一一陳述。
本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述部分中變得明顯,或通過本發(fā)明的實踐了解到。
附圖說明
本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解,其中:
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態(tài)化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預處理





