[發明專利]一種低位錯密度的G8高效硅錠的制備方法

在審

• 申請號: 201711155896.0
• 申請日: 2017-11-20
• 公開（公告）號: CN107723792A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 劉明權;路景剛
• 申請（專利權）人: 江蘇高照新能源發展有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙)32256
• 代理人: 任立

1.一種低位錯密度的G8高效硅錠的制備方法，其特征在于，包括以下流程：坩堝噴涂—裝料—硅料熔化—長晶，其中：

（1）在石英坩堝的內表面噴涂一層漿料，所述的漿料為氮化硅與去離子水混合而成，所述噴涂時控制噴涂坩堝內表面的溫度為80-100℃，噴涂距離為30-40cm，噴涂圈數為24-28圈；

（2）向經步驟（1）噴涂漿料后的石英坩堝內裝入碎硅料，作為形核源層，將石英坩堝置于坩堝護板內，所述坩堝護板的四個拐角位置對稱設置有保溫氈，所述的保溫氈厚度為3-5mm；

（3）將步驟（2）的石英坩堝放入多晶爐中，抽真空，然后加熱至1560℃，待硅料完全熔化后，通過控制TC1溫度和隔熱籠開度，控制TC2溫度，最終進入長晶階段；

長晶階段時：

長晶前3個小時TC1溫度控制在1425-1435℃，隔熱籠開度控制在7-9cm；

長晶3個小時時TC2溫度控制在1240-1260℃；

長晶透頂時：

TC2溫度控制在1010-1020℃；

長晶透頂結束時：

TC1溫度控制在1400-1410℃，隔熱籠開度控制在17-19cm；

（4）待熔硅結晶完成后經退火和冷卻形成晶粒細小且均勻的多晶硅錠。

2.根據權利要求1所述的低位錯密度的G8高效硅錠的制備方法，其特征在于，包括以下流程：坩堝噴涂—裝料—硅料熔化—長晶，其中：

（1）在石英坩堝的內表面噴涂一層漿料，所述的漿料為氮化硅與去離子水的混合而成，所述噴涂時控制噴涂坩堝內表面的溫度為90℃，噴涂距離為35cm，噴涂圈數為26圈；

（2）向經步驟（1）噴涂漿料后的石英坩堝內裝入碎硅料，作為形核源層，將石英坩堝置于坩堝護板內，所述坩堝護板的四個拐角位置對稱設置有保溫氈，所述的保溫氈厚度為4mm；

（3）將步驟（2）的石英坩堝放入多晶爐中，抽真空，然后加熱至1560℃，待硅料完全融化后，通過控制TC1溫度和隔熱籠開度，控制TC2溫度，最終進入長晶階段；

長晶階段時：

長晶前3個小時TC1溫度控制在1430℃，隔熱籠開度控制在8cm；

長晶3個小時時TC2溫度控制在1250℃；

長晶透頂時：

TC2溫度控制在1015℃；

長晶透頂結束時：

TC1溫度控制在1405℃，隔熱籠開度控制在18cm；

（4）待熔硅結晶完成后經退火和冷卻形成晶粒細小且均勻的多晶硅錠。

3.根據權利要求1或2所述的低位錯密度的G8高效硅錠的制備方法，其特征在于：步驟（1）中所述氮化硅與去離子水按質量比計氮化硅：去離子水=1:3。

4.根據權利要求1或2所述的低位錯密度的G8高效硅錠的制備方法，其特征在于：步驟（1）中噴涂距離即噴槍口離坩堝內表面的距離。

5.根據權利要求1或2所述的低位錯密度的G8高效硅錠的制備方法，其特征在于：步驟（2）中裝料時按籽晶小料—回收料—常規塊料的順序進行裝料。

6.根據權利要求1或2所述的低位錯密度的G8高效硅錠的制備方法，其特征在于：步驟（2）中所述保溫氈的材料為石棉或碳氈。