[發明專利]一種單平面研拋加工方法

在審

• 申請號: 201711154448.9
• 申請日: 2017-11-20
• 公開（公告）號: CN108015666A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: 袁巨龍;陳芝向
• 申請（專利權）人: 杭州智谷精工有限公司
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04;B24B37/10;B24B37/30
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 陳振華

1.一種單平面研拋加工方法，其特征在于：它是利用單面研磨/拋光設備對薄片工件進行研磨/拋光加工的方法；該方法將薄片工件通過液體膜吸附在基板上，并利用固定在基板平面上的限位片限制薄片工件在研磨/拋光過程中沿基板平面滑動；所述限位片上具有槽孔，所述薄片工件置于所述槽孔內；所述限位片與所述基板平面的高度差不大于所述薄片工件與所述基板平面的高度差。

2.根據權利要求1所述的單平面研拋加工方法，其特征在于：所述限位片通過粘結劑與所述基板結合。

3.根據權利要求1所述的單平面研拋加工方法，其特征在于：所述基板的材質為軸承鋼和陶瓷材料。

4.根據權利要求1所述的單平面研拋加工方法，其特征在于：所述限位片材料為環氧玻璃纖維板、不飽和聚酯玻纖板或陶瓷板。

5.根據權利要求1所述的單平面研拋加工方法，其特征在于：所述液體膜由不可固化的液體構成。

6.根據權利要求1所述的單平面研拋加工方法，其特征在于：所述基板與所述薄片工件配合處的形狀精度不低于所述薄片工件的形狀精度要求。

7.根據權利要求1所述的單平面研拋加工方法，其特征在于：所述薄片工件的厚度小于2mm。

8.根據權利要求1至7任一權利要求所述的單平面研拋加工方法，其特征在于：所述薄片工件為平面工件；所述限位片的厚度為所述平面工件厚度的65～85％；所述限位片與所述平面工件的最大間隙為0.1～0.3mm。

9.根據權利要求1至7任一權利要求所述的單平面研拋加工方法，其特征在于：所述薄片工件為非球面工件；所述基板上具有與所述非球面工件的非球面相適配的非球面凹陷；所述非球面工件通過液體膜吸附在所述基板的非球面凹陷處。

10.根據權利要求9所述的單平面研拋加工方法，其特征在于：所述限位片與所述基板表面的高度差為所述非球面工件與所述基板表面的高度差的60～90％；所述限位片與所述非球面工件的最大間隙為0.2～0.4mm。