[發(fā)明專(zhuān)利]一種等離子體高度調(diào)整裝置及方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711143883.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107991289A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-05-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭磊落;郭淳;陳挺;樓屹;賴(lài)曉健 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 浙江全世科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01N21/73 | 分類(lèi)號(hào): | G01N21/73 |
| 代理公司: | 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司31236 | 代理人: | 胡晶 |
| 地址: | 310053 浙江省杭州市濱江*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 等離子體 高度 調(diào)整 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于原子發(fā)射光譜儀領(lǐng)域,尤其涉及一種等離子體高度調(diào)整裝置及方法。
背景技術(shù)
側(cè)視觀測(cè)模式:等離子體炬管的中心軸與檢測(cè)系統(tǒng)的光軸成直角的觀測(cè)模式;
端視觀測(cè)模式:等離子體炬管的中心軸與檢測(cè)系統(tǒng)的光軸重合或平行的觀測(cè)模式;
等離子體氣體:用于形成和維持等離子體的主要?dú)夥眨鏏r等;
等離子體炬管:用于形成和維持等離子體的器件,如微波等離子體炬(MPT),電感耦合等離子體炬(ICP),表面波器件(Surfatron)等。
在等離子體原子發(fā)射光譜儀中,待測(cè)樣品通常以氣態(tài)形式被載氣引入等離子體中,并在等離子體中先后經(jīng)過(guò)蒸發(fā)、去溶、原子化、電離、激發(fā)、發(fā)射等過(guò)程。由于元素特性的差異,對(duì)不同元素而言,其在等離子體中發(fā)生上述過(guò)程的難易程度不同,因此,在采用側(cè)視觀測(cè)模式對(duì)元素特征譜線(xiàn)強(qiáng)度進(jìn)行檢測(cè)時(shí),等離子體存在最佳觀測(cè)區(qū)域。
針對(duì)上述需求,現(xiàn)有的解決方案包括三種方式:
1)采用端視觀測(cè)模式對(duì)等離子體進(jìn)行檢測(cè),即光學(xué)系統(tǒng)的光軸與等離子體炬的軸線(xiàn)重合或平行,由于待測(cè)樣品或待測(cè)元素的激發(fā)過(guò)程也是沿等離子體炬的軸線(xiàn),因此消除了觀測(cè)區(qū)域?qū)z測(cè)的影響;
2)采用側(cè)視觀測(cè)模式,同時(shí)通過(guò)機(jī)械結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)等離子體炬管的相對(duì)位置;
3)采用側(cè)視觀測(cè)模式,同時(shí)通過(guò)機(jī)械結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)的探頭的相對(duì)位置。
現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn):
方案1):使用端視方式時(shí),由于某些元素的特征發(fā)射譜線(xiàn)在經(jīng)過(guò)等離子體尾焰容易發(fā)生自吸等現(xiàn)象從而影響定量分析,且等離子體尾焰溫度過(guò)高容易對(duì)光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)性能造成影響,因此通常需要采用去尾焰的方式,如冷錐和吹風(fēng)式去尾焰等,結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜;其次,端視觀測(cè)模式下元素的線(xiàn)性范圍相比側(cè)視觀測(cè)模式要小;
方案2)與方案3):
需要調(diào)節(jié)等離子體炬管或者光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)的探頭(光纖探頭或者光筒等)位置,從而使得探測(cè)器能夠捕獲到元素在等離子體中的最佳觀測(cè)位置,實(shí)現(xiàn)后續(xù)的定性和定量分析;
現(xiàn)有光譜儀的升降操作系統(tǒng)一般采用機(jī)械式,即采用人工或自動(dòng)化設(shè)施將整個(gè)微波等離子體炬或者光學(xué)探測(cè)器的探頭(光纖或者光筒等)上下移動(dòng),它的缺陷有下面幾點(diǎn):a、需要提供額外的機(jī)械安裝和移動(dòng)空間,不利于結(jié)構(gòu)的小型化;b、機(jī)械式移動(dòng)會(huì)帶來(lái)磨損等影響實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)確性和重現(xiàn)性等因素;c、機(jī)械式移動(dòng)也會(huì)造成安全隱患;d、機(jī)械式移動(dòng)會(huì)降低光譜儀的檢測(cè)效率;e、機(jī)械設(shè)計(jì)復(fù)雜,其所需要的活動(dòng)空間給微波輻射帶來(lái)了隱患。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提出了一種等離子體高度調(diào)整裝置及方法。
本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:
一種等離子體高度調(diào)整裝置,包括MPT模塊、光纖探頭、光學(xué)系統(tǒng)、攝像頭、檢測(cè)終端、控制板和排氣模塊,所述MPT模塊為等離子體炬管;所述排氣模塊用于對(duì)所述等離子體炬管的腔室進(jìn)行排氣;所述光纖探頭用于獲取等離子體產(chǎn)生的光信號(hào);所述光學(xué)系統(tǒng)與所述光纖探頭連接,用于根據(jù)所述光纖探頭傳來(lái)的光信號(hào)生成光譜圖;所述攝像頭用于拍攝等離子體圖像;所述檢測(cè)終端用于通過(guò)所述控制板來(lái)控制所述排氣模塊的排氣速度,根據(jù)所述光學(xué)系統(tǒng)生成的光譜圖計(jì)算得到該光譜圖的信背比以及對(duì)所述攝像頭拍攝的等離子體圖像進(jìn)行識(shí)別,以獲得等離子體高度。
較佳的,所述光纖探頭和所述攝像頭均采用側(cè)視觀測(cè)模式。
較佳的,所述光纖探頭和所述攝像頭位于同一水平位置。
較佳的,所述排氣模塊包括通道、排氣閥和排氣風(fēng)扇,所述排氣閥和所述排氣風(fēng)扇均設(shè)置在所述通道內(nèi),所述控制板通過(guò)控制所述排氣風(fēng)扇的轉(zhuǎn)速來(lái)控制排氣速度的快慢,所述排氣閥用于使所述腔室內(nèi)的排氣速度在所述排氣風(fēng)扇的轉(zhuǎn)速改變時(shí)漸變并趨于穩(wěn)定狀態(tài)。
較佳的,所述檢測(cè)終端為PC端、智能手機(jī)、平板和嵌入式系統(tǒng)中的任一種。
一種等離子體高度調(diào)整方法,采用上述的一種等離子體高度調(diào)整裝置,其包括以下步驟:
步驟A,檢測(cè)終端向控制板發(fā)出控制指令,控制板控制排氣模塊的排氣速度逐級(jí)改變,從而改變腔室內(nèi)的等離子體氣體濃度,以調(diào)整等離子體高度;
步驟B,在不同等離子體氣體濃度時(shí),光纖探頭獲取光信號(hào),將光信號(hào)傳入光學(xué)系統(tǒng)后生成光譜圖,將光譜圖載入檢測(cè)終端經(jīng)過(guò)計(jì)算獲得此光譜圖的信背比,同時(shí),攝像頭拍攝腔室內(nèi)的等離子體圖像,檢測(cè)終端采用圖像識(shí)別算法對(duì)等離子體圖像進(jìn)行識(shí)別,以獲得等離子體高度;
步驟C,檢測(cè)終端判斷最佳測(cè)量范圍,即最大信背比,并記錄此時(shí)的信背比、排氣模塊的排氣速度和等離子體高度;
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G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見(jiàn)光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專(zhuān)用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
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