[發明專利]一種微電極及其制備方法有效
| 申請號： | 201711139417.6 | 申請日： | 2017-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN108125677B | 公開（公告）日： | 2023-02-10 |
| 發明（設計）人： | 曾齊;吳天準;夏凱;孫濱 | 申請（專利權）人： | 深圳先進技術研究院 |
| 主分類號： | A61B5/294 | 分類號： | A61B5/294;A61B5/293;A61N1/05 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址： | 518055 廣東省深圳*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 微電極 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種微電極，其特征在于，包括微電極本體和設置在所述微電極本體表面的鉑納米花修飾層，所述鉑納米花修飾層的厚度為0.5~2.5μm；所述鉑納米花修飾層中分布有多個鉑納米花，每個所述鉑納米花包括多個鉑納米片，所述鉑納米花為多個所述鉑納米片相互聚集并圍繞一個中心自組裝形成的花狀結構，所述鉑納米片從所述中心向外呈放射性生長，所述鉑納米片呈橢圓形，所述鉑納米花的平均直徑為1~5μm，每個鉑納米片的平均長度為0.5~2μm，平均寬度為0.3~1μm；所述鉑納米片上還設置有二級鉑納米結構，所述二級鉑納米結構為聚集在所述鉑納米片表面上的微小鉑顆粒自組裝形成的花狀結構；所述微小鉑顆粒的粒徑為0.1-0.3μm；所述鉑納米花修飾層中鉑納米花的分布密度為50-400個/μm2。
2.如權利要求1所述的微電極，其特征在于，所述鉑納米花修飾層表面還設置有電荷存儲注入增強層，所述電荷存儲注入增強層的材質包括氧化銥和導電聚合物中的至少一種材料。
3.如權利要求2所述的微電極，其特征在于，所述電荷存儲注入增強層的厚度為5nm~600nm。
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