[發明專利]非揮發存儲器的區塊解碼器與位準移位器

有效

• 申請號: 201711136038.1
• 申請日: 2017-11-16
• 公開（公告）號: CN109801653B
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 蔣汝安;張雅雯
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C8/10
• 分類號: G11C8/10;G11C7/10
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 賈磊;王濤

本發明提供一種非揮發存儲器的區塊解碼器與位準移位器。該非揮發存儲器的區塊解碼器包括位準移位器和解碼器。第一晶體管的控制端耦接至第一控制節點，第一晶體管的第一端耦接至輸出節點，第一晶體管的該第二端耦接至第一供應電位。第二晶體管的控制端耦接至第二控制節點，第二晶體管的第一端耦接至接地電位，第二晶體管的第二端耦接至輸出節點。第三晶體管的控制端耦接至輸出節點，第三晶體管的第一端耦接至第一節點，第三晶體管的第二端耦接至第二供應電位。第四晶體管的控制端耦接至第二控制節點，第四晶體管的第一端耦接至第一節點，第四晶體管的第二端耦接至輸出節點。本發明可提高整體系統可靠度、縮小整體電路布局面積。

技術領域

本發明是關于一種區塊解碼器(Block Decoder)與位準移位器(Level Shifter)，特別是關于可縮小整體布局面積(Layout Area)的非揮發存儲器(Nonvolatile Memory)的區塊解碼器與位準移位器。

背景技術

非揮發性存儲器(Nonvolatile Memory)具有當電源關掉后，所存儲的數據不會消失的特性，包括閃存。閃存為一種電子清除式可程序只讀存儲器，且允許被多次擦除與寫入，其適用于一般性數據存儲，以及在電腦與其他數字產品之間作傳輸數據的交換。

閃存包括多個區塊(Block)，其中每一區塊由一區塊解碼器來進行存取。隨著存儲器中電路的密度越來越高，區塊和區塊解碼器的數量皆大幅增加，這使得閃存的生產制造需要更大的布局面積。因此，有必要提出一種全新的解決方案，以解決傳統技術中閃存的電路布局面積過大的問題。

發明內容

在較佳實施例中，本發明提供一種非揮發存儲器的區塊解碼器，包括：一位準移位器，包括：一第一晶體管，具有一控制端、一第一端，以及一第二端，其中該第一晶體管的該控制端耦接至一第一控制節點，該第一晶體管的該第一端耦接至一輸出節點，而該第一晶體管的該第二端耦接至一第一供應電位；一第二晶體管，具有一控制端、一第一端，以及一第二端，其中該第二晶體管的該控制端耦接至一第二控制節點，該第二晶體管的該第一端耦接至一接地電位，而該第二晶體管的該第二端耦接至該輸出節點；一第三晶體管，具有一控制端、一第一端，以及一第二端，其中該第三晶體管的該控制端耦接至該輸出節點，該第三晶體管的該第一端耦接至一第一節點，而該第三晶體管的該第二端耦接至一第二供應電位；以及一第四晶體管，具有一控制端、一第一端，以及一第二端，其中該第四晶體管的該控制端耦接至該第二控制節點，該第四晶體管的該第一端耦接至該第一節點，而該第四晶體管的該第二端耦接至該輸出節點；以及一解碼器，耦接至一第三供應電位，其中該解碼器用于輸出一第一控制電位至該第一控制節點，并輸出一第二控制電位至該第二控制節點。

在一些實施例中，該第一控制電位和該第二控制電位具有互補的邏輯位準。

在一些實施例中，該第一晶體管、該第二晶體管，以及該第三晶體管的每一個各自為一N型金屬氧化物半導體場效應晶體管。

在一些實施例中，該第四晶體管為一P型金屬氧化物半導體場效應晶體管。

在一些實施例中，該第一晶體管、該第二晶體管，以及該第四晶體管的每一個各自為一增強型晶體管。

在一些實施例中，該第三晶體管為一空乏型晶體管。

在一些實施例中，該第三供應電位大于或等于該第三晶體管的一臨界電位的一絕對值。

在一些實施例中，該第三供應電位高于該第一供應電位。

在一些實施例中，該第三供應電位和該第一供應電位之間的一電位差大于或等于該第一晶體管的一臨界電位。

在一些實施例中，該第二供應電位至少為該第一供應電位或該第三供應電位的四倍。