[發(fā)明專利]非揮發(fā)存儲(chǔ)器的區(qū)塊解碼器與位準(zhǔn)移位器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711136038.1
• 申請(qǐng)日: 2017-11-16
• 公開（公告）號(hào): CN109801653B
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔣汝安;張雅雯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C8/10
• 分類號(hào): G11C8/10;G11C7/10
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 賈磊;王濤

1.一種非揮發(fā)存儲(chǔ)器的區(qū)塊解碼器，其特征在于，包括：

一位準(zhǔn)移位器，包括：

一第一晶體管，具有一控制端、一第一端，以及一第二端，其中該第一晶體管的該控制端耦接至一第一控制節(jié)點(diǎn)，該第一晶體管的該第一端耦接至一輸出節(jié)點(diǎn)，而該第一晶體管的該第二端耦接至一第一供應(yīng)電位；

一第二晶體管，具有一控制端、一第一端，以及一第二端，其中該第二晶體管的該控制端耦接至一第二控制節(jié)點(diǎn)，該第二晶體管的該第一端耦接至一接地電位，而該第二晶體管的該第二端耦接至該輸出節(jié)點(diǎn)，其中該第一晶體管與該第二晶體管為同型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

一第三晶體管，具有一控制端、一第一端，以及一第二端，其中該第三晶體管的該控制端耦接至該輸出節(jié)點(diǎn)，該第三晶體管的該第一端耦接至一第一節(jié)點(diǎn)，而該第三晶體管的該第二端耦接至一第二供應(yīng)電位；以及

一第四晶體管，具有一控制端、一第一端，以及一第二端，其中該第四晶體管的該控制端耦接至該第二控制節(jié)點(diǎn)，該第四晶體管的該第一端耦接至該第一節(jié)點(diǎn)，而該第四晶體管的該第二端耦接至該輸出節(jié)點(diǎn)，其中該第一晶體管與該第四晶體管為不同型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管；以及

一解碼器，耦接至一第三供應(yīng)電位，其中該解碼器用于輸出一第一控制電位至該第一控制節(jié)點(diǎn)，并輸出一第二控制電位至該第二控制節(jié)點(diǎn)，其中當(dāng)對(duì)應(yīng)的區(qū)塊被選擇時(shí)，該第一控制電位和該第二控制電位具有互補(bǔ)的邏輯位準(zhǔn)。

2.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)存儲(chǔ)器的區(qū)塊解碼器，其特征在于，

其中當(dāng)對(duì)應(yīng)的區(qū)塊被選擇時(shí)，該第一控制電位具有高邏輯位準(zhǔn)，且該第二控制電位具有低邏輯位準(zhǔn)；

其中當(dāng)對(duì)應(yīng)的區(qū)塊未被選擇時(shí)，該第一控制電位具有低邏輯位準(zhǔn)，且該第二控制電位具有高邏輯位準(zhǔn)。

3.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)存儲(chǔ)器的區(qū)塊解碼器，其特征在于，該第一晶體管、該第二晶體管，以及該第三晶體管的每一個(gè)各自為一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

4.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)存儲(chǔ)器的區(qū)塊解碼器，其特征在于，該第四晶體管為一P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

5.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)存儲(chǔ)器的區(qū)塊解碼器，其特征在于，該第一晶體管、該第二晶體管，以及該第四晶體管的每一個(gè)各自為一增強(qiáng)型晶體管。

6.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)存儲(chǔ)器的區(qū)塊解碼器，其特征在于，該第三晶體管為一空乏型晶體管。

7.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)存儲(chǔ)器的區(qū)塊解碼器，其特征在于，該第三供應(yīng)電位大于或等于該第三晶體管的一臨界電位的一絕對(duì)值。

8.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)存儲(chǔ)器的區(qū)塊解碼器，其特征在于，該第三供應(yīng)電位高于該第一供應(yīng)電位。

9.如權(quán)利要求8所述的非揮發(fā)存儲(chǔ)器的區(qū)塊解碼器，其特征在于，該第三供應(yīng)電位和該第一供應(yīng)電位之間的一電位差大于或等于該第一晶體管的一臨界電位。

10.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)存儲(chǔ)器的區(qū)塊解碼器，其特征在于，該第二供應(yīng)電位至少為該第一供應(yīng)電位或該第三供應(yīng)電位的四倍。