[發明專利]用于甚高頻至特高頻通訊的光穿透輻射元件

在審

• 申請號: 201711133912.6
• 申請日: 2017-11-16
• 公開（公告）號: CN109802228A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 吳宏偉;洪政源;葉昌鑫
• 申請（專利權）人: 吳宏偉
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01B5/14
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279
• 代理人: 席勇;周勇

1.一種用于甚高頻至特高頻通訊的光穿透輻射元件，其特征在于，包含：

基板；以及

第一透明導電膜結構及第二透明導電膜結構，配置于所述基板的表面上，且以一定間距為軸心而分別配置于所述軸心的相對兩側，其中所述第一透明導電膜結構具有射頻信號連接端，其用以電性連接數字電視信號接收端，且所述第二透明導電膜結構具有電性接地端；

其中，所述第一透明導電膜結構及所述第二透明導電膜結構的電阻值小于0.1mΩ，且所述第一透明導電膜結構及所述第二透明導電膜結構在光波長為440納米處的光穿透度大于50％。

2.權利要求1所述的光穿透輻射元件，其特征在于，所述第一透明導電膜結構及所述第二透明導電膜結構的厚度介于0.5微米與5微米之間。

3.權利要求1所述的光穿透輻射元件，其特征在于，所述第一透明導電膜結構及所述第二透明導電膜結構的電阻是能調整的，其電阻值介于0.01mΩ與0.1mΩ之間。

4.權利要求1所述的光穿透輻射元件，其特征在于，所述基板的材質為玻璃、聚乙烯對苯二甲酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、環烯烴共聚物或透明陶瓷材料。

5.權利要求1所述的光穿透輻射元件，其特征在于，所述基板在光波長為380納米至780納米處的平均光穿透度大于80％。

6.權利要求1所述的光穿透輻射元件，其特征在于，所述第一透明導電膜結構及所述第二透明導電膜結構中的至少一個是步階式阻抗共振器、環形共振器、片型共振器、四分之一波長共振器、二分之一波長共振器或槽孔式共振器。

7.權利要求1所述的光穿透輻射元件，其特征在于，所述第一透明導電膜結構與所述第二透明導電膜結構的組合是天線，所述天線為單極天線、偶極天線、槽孔天線、回圈天線、螺線天線、倒F型天線、平板天線、八木天線或陣列天線。

8.權利要求6所述的光穿透輻射元件，其特征在于，所述天線的結構面的曲型包含平面、拋物面與曲面。

9.權利要求1所述的光穿透輻射元件，其特征在于，所述第一透明導電膜結構與所述第二透明導電膜結構是非對稱地配置于所述軸心的相對兩側，所述第一透明導電膜結構及所述第二透明導電膜用以改變在甚高頻至特高頻通訊下所接收信號的頻率位置、返回損失和電壓駐波比。

10.權利要求1所述的光穿透輻射元件，其特征在于，還包含：

至少一個第三透明導電膜結構，電性耦合于所述第一透明導電膜結構及所述第二透明導電膜結構，所述至少一個第三透明導電膜結構用以改變在甚高頻至特高頻通訊下所接收信號的頻率位置、返回損失和電壓駐波比，且所述至少一個第三透明導電層的電阻值介于0.01mΩ與1mΩ之間。