[發(fā)明專利]一種表面增強(qiáng)拉曼基底及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711131759.3
• 申請(qǐng)日: 2017-11-15
• 公開（公告）號(hào): CN107748159A
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李月娥;蔡可蘇;王忠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘭州大學(xué)
• 主分類號(hào): G01N21/65
• 分類號(hào): G01N21/65
• 代理公司: 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11371
• 代理人: 鄧超

1.一種表面增強(qiáng)拉曼基底，應(yīng)用于檢測液體樣品，其特征在于，所述表面增強(qiáng)拉曼基底包括襯底、金膜和金納米立方體；

所述襯底采用硅材料形成，所述金膜設(shè)置在所述襯底上，所述金納米立方體設(shè)置在所述金膜上，所述金納米立方體呈矩陣排布，所述金納米立方體之間具有間隙，所述間隙用于注入待測的液體樣品。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面增強(qiáng)拉曼基底，其特征在于，所述金納米立方體的邊長為50nm，相鄰兩個(gè)所述金納米立方體之間的所述間隙的寬度為30nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的表面增強(qiáng)拉曼基底，其特征在于，所述金納米立方體遠(yuǎn)離所述金膜的一端具有圓角。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面增強(qiáng)拉曼基底，其特征在于，所述圓角的半徑為1nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面增強(qiáng)拉曼基底，其特征在于，所述襯底為長方體結(jié)構(gòu)，所述襯底的長2000nm，所述襯底的寬為2000nm，所述襯底的高為110nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面增強(qiáng)拉曼基底，其特征在于，所述金膜的長2000nm，所述金膜的寬為2000nm，所述金膜的厚度為40nm。

7.一種表面增強(qiáng)拉曼基底的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

采用硅材料形成襯底；

在所述襯底表面淀積鈦層，并在所述鈦層上鍍金膜；

通過金屬剝離方法在所述金膜的表面形成矩陣排布的金納米立方體，所述金納米立方體之間具有間隙，所述間隙用于注入待測的液體樣品。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述金納米立方體的邊長為50nm，相鄰兩個(gè)所述金納米立方體之間的所述間隙的寬度為30nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述金納米立方體遠(yuǎn)離所述金膜的一端具有圓角。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述圓角的半徑為1nm。