[發明專利]一種隱身節能薄膜及其制備方法

在審

• 申請號: 201711112933.X
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN107935409A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 耿萬青
• 申請（專利權）人: 安徽伽寶真空科技有限公司
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明屬于薄膜制造技術領域，尤其涉及是一種隱身節能薄膜及其制備方法。

背景技術

隨著我國經濟的高速增長，社會的快速發展，每年新增建筑約20億平方米。然而其中大部分仍為高能耗建筑，只有5％達到節能建筑要求。在建筑能耗之中，采暖和空調能耗占比最大，約占60％～70％。采暖和空調能耗主要通過建筑外圍結構與室外環境的熱交換消耗。

我國北方寒冷地區冬季采暖需用大量煤炭，夏季炎熱的南方地區及夏季全國的空調制冷需用大量電能。而據統計，窗戶能耗量占建筑外圍結構能耗的50％。而在傳熱損耗中,窗框占15％，玻璃占約85％。可見，玻璃節能性能的高低，直接影響建筑能耗。傳統的Low-E玻璃不具備根據不同的地區緯度和氣候對室內溫度人體舒適度的要求，對太陽光不具有進行選擇性的過濾透過的功能。這樣大多數只能用于高緯度的寒冷地區，且只是在冬季，其低輻射的性能才得到發揮。在炎熱的夏季全國及南方地區，傳統的Low-E玻璃由于不能對陽光進行可選擇性的透過，并且由于較低的透過率的原因，不僅不能降低能耗，使得建筑室內和交通工具內的熱量過多的聚集，反而更加加大了空調制冷需用的大量電能。

同樣的，交通工具的窗用玻璃由于不具有節約能源的功能，無論是在寒冷的冬季還是在炎熱的夏季，為了保持交通工具內的溫度舒適，都要消耗大量的燃料，也造成了更大的環境污染。

目前，缺乏一種節能環保的隱身節能薄膜及其制備方法。

發明內容

本發明的目的是改進現有操作的不足，提供一種節能環保的隱身節能薄膜及其制備方法。

本發明為實現上述目的，采用以下技術方案：本發明的一種隱身節能薄膜，所述隱身節能薄膜包括玻璃基底，所述玻璃基底由內向外依次為電加熱功能層、色彩調制膜層、附著力增強膜層和隱身功能膜層。

進一步地，所述的電加熱功能層由內向外依次為第一氧化硅層、第一氧化錫層、第一金屬鈦層和第二氧化錫層，所述第一氧化硅層的膜層的厚度為5～15nm，所述第一氧化錫層的膜層的厚度為30～60nm，所述第一金屬鈦層的膜層的厚度為8～10nm，所述第二氧化錫層的膜層的厚度為60～80nm。

進一步地，所述色彩調制膜層由內向外依次為氮化銦錫層5、聚四氟乙烯層、第二氧化銦層和第二氧化銦層，所述氮化銦錫層的膜層的厚度為5～15nm，聚四氟乙烯層的膜層的厚度為10～20nm，第二氧化銦層的膜層的厚度為2～8nm，第二氧化銦層的膜層的厚度為3～6nm；

更進一步地，所述附著力增強膜層內向外依次為氮化錫層、第二氧化硅層、第一氧化銦層和第二氧化銦層，所述氮化錫層的膜層的厚度為5～15nm，第二氧化硅層的膜層的厚度為10～20nm，第一氧化銦層的膜層的厚度為2～8nm，所述金屬金層的膜層的厚度為10～15nm。

進一步地，所述隱身功能膜層由內向外依次為氮化鈦層、氧化銦錫層、第二金屬鈦層和第四氧化錫層，所述氮化鈦層的膜層的厚度為5～15nm，氧化銦錫層的膜層的厚度為10～20nm，第二金屬鈦層的膜層的厚度為6～10nm，第四氧化錫層的膜層的厚度為10～20nm。

本發明所述的隱身節能薄膜的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

采用平衡或非平衡磁控濺射方式，鍍膜設備置于潔凈度十萬級以內、濕度小于55％的潔凈室內，設備冷卻水溫度在16～26℃；鍍膜時本底真空要求：鍍膜室真空度<2.5×10^-3Pa、進入室和隔離室真空度<1Pa；

(1)玻璃基底經清洗機清洗后，依次通過進入室和隔離室，到達鍍膜室，進入鍍膜室后，關閉隔離室與鍍膜室間的隔離閥，抽真空至本底真空，之后通入氬氣和相應工藝氣體維持真空度在0.5～1.0Pa；

(2)待鍍膜室腔體內總氣壓穩定后，將玻璃基底正對濺射靶面，玻璃基底與靶面的距離保持在15～25cm，連續開啟電源，依次在玻璃基底上鍍制電加熱功能層和色彩調制膜層；

(3)重復步驟(1)～(3)，鍍制附著力增強膜層和隱身功能膜層，鍍膜過程中基底傳輸速度保持平穩均勻，速度范圍為1.2～2.8m/min，制得隱身節能薄膜。

進一步地，在步驟(2)中，所述電源為中頻電源、直流電源和射頻電源。

進一步地，在步驟(2)和步驟(3)中，鍍制玻璃基底時工藝氣體為氧氣、氮氣或其他氣體的組合；當所需的工藝氣體為氬氣和氧氣的混合時，加入的氧氣的流量為氬氣流量的1～8％；當所需的工藝氣體為氬氣和除氧氣以外的其他工藝氣體的混合時，加入的其他工藝氣體的流量為氬氣流量的2～7％。