[發明專利]一種改善CIS器件白色像素污點的方法

在審

• 申請號: 201711108542.0
• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN107910341A
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 馬宏運;孫賽;李曉玉
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 智云

1.一種改善CIS器件白色像素污點的方法，其特征在于，包括下列步驟：

通過第一光罩對器件邏輯區域進行PP離子注入；

通過第二光罩對器件像素區域進行PP離子注入；

其中所述邏輯區域的PP離子注入采用B、BF2和F離子注入，所述像素區域的PP離子注入采用B離子注入。

2.根據權利要求1所述的改善CIS器件白色像素污點的方法，其特征在于，所述邏輯區域的PP離子注入中B離子注入的注入能量范圍為5～500keV，其注入劑量為10¹¹～10¹⁶/cm²。

3.根據權利要求1所述的改善CIS器件白色像素污點的方法，其特征在于，所述邏輯區域的PP離子注入中BF2離子注入的注入能量范圍為5～500keV，其注入劑量為10¹¹～10¹⁶/cm²。

4.根據權利要求1所述的改善CIS器件白色像素污點的方法，其特征在于，所述邏輯區域的PP離子注入中F離子注入的注入能量范圍為5～500keV，其注入劑量為10¹¹～10¹⁶/cm²。

5.根據權利要求1所述的改善CIS器件白色像素污點的方法，其特征在于，所述像素區域的PP離子注入中B離子注入的注入能量范圍為5～500keV，其注入劑量為10¹¹～10¹⁶/cm²。