[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201711105355.7
• 申請日: 2017-11-10
• 公開（公告）號: CN108155288A
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 飛岡孝明;海老原美香
• 申請（專利權）人: 艾普凌科有限公司
• 主分類號: H01L43/06
• 分類號: H01L43/06;G01R33/07
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;楊美靈

1.一種半導體裝置，具有第1導電型的半導體襯底和設置在所述半導體襯底上的縱型霍爾元件，其特征在于，

所述縱型霍爾元件具備：

第2導電型的半導體層，設置在所述半導體襯底上，濃度分布恒定；

第2導電型的雜質擴散層，設置在所述半導體層上，濃度比所述半導體層高；

多個電極，在所述雜質擴散層的表面在一條直線上設置，由濃度比所述雜質擴散層高的第2導電型的雜質區域構成；以及

多個第1導電型的電極分離擴散層，在所述雜質擴散層的表面，分別設置在所述多個電極的各電極間，使所述多個電極分別分離。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，形成在所述多個電極分離擴散層各自的周圍的耗盡層的最下部的位置為與所述半導體層的上表面大致相同的位置。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述雜質擴散層具有濃度隨著從所述表面向所述半導體層前進而變低的濃度分布。

4.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述雜質擴散層具有濃度隨著從所述表面向所述半導體層前進而變低的濃度分布。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體層及所述雜質擴散層為外延層。

6.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體層及所述雜質擴散層為外延層。

7.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體層及所述雜質擴散層為外延層。

8.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體層及所述雜質擴散層為外延層。

9.如權利要求1至8的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述雜質擴散層及所述電極分離擴散層的表面，除了設置所述電極的區域以外被絕緣膜覆蓋。

10.如權利要求1至8的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述多個電極的數為3個以上。

11. 如權利要求1至8的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，還具備：

第1導電型的元件分離擴散層，包圍所述縱型霍爾元件，將所述縱型霍爾元件從周圍電分離；以及

元件形成區域，設置在所述元件分離擴散層的周圍，形成有構成用于處理來自所述縱型霍爾元件的輸出信號、或者向所述縱型霍爾元件供給信號的電路的元件，

所述元件形成區域具有第2導電型的阱，

所述阱與所述雜質擴散層具有相同的深度及相同的濃度分布。