[發明專利]一種超薄金屬化薄膜有效
| 申請號: | 201711091068.5 | 申請日: | 2017-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN107993844B | 公開(公告)日: | 2019-07-23 |
| 發明(設計)人: | 徐湘華;周濤 | 申請(專利權)人: | 安徽賽福電子有限公司 |
| 主分類號: | H01G4/33 | 分類號: | H01G4/33;H01G4/32;H01G4/015 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 244000 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 超薄 金屬化 薄膜 | ||
本發明涉及一種超薄金屬化薄膜,包括基膜,所述基膜的正面設置有金屬鍍層;所述金屬鍍層包括加厚區、漸變方阻區和大方阻區,所述加厚區的厚度大于大方阻區的厚度,所述漸變方阻區設置在加厚區的尾側和大方阻區的首側之間,所述加厚區和大方阻區之間通過漸變方阻區電連接;所述大方阻區的尾側設置有留邊區。本發明所述超薄金屬化薄膜在后續制成電容器的過程中不易被燙傷,產品的合格率高達96.7%,有效降低企業生產成本,其介電強度在1200V以上,制成的電容器的自愈能力高。
技術領域
本發明涉及一種超薄金屬化薄膜,屬于電容器技術領域。
背景技術
目前市場上普遍使用的超薄金屬化薄膜(≤4μm),其留邊區的寬度一般為1mm,在實際中發現,留邊區1mm能夠承受1000V直流電壓的介電強度,而超薄金屬化膜(≤4μm)目前通常在低于800V的直流電路中,所以一般情況下,超薄金屬化膜只需要預留1mm的留邊區,就能滿足電容器的設計要求。但實際生產時,因超薄金屬化膜的厚度太薄,在蒸鍍和制作電容器的端面噴涂過程中容量燙傷,而造成電容器的介電強度大幅下降。如果留邊區過大,那么卷繞后的電容器卷芯在噴金時,金屬鍍層與噴金端面之間易出現連接不充分的斷路區域。目前超薄金屬化薄膜的金屬鍍層的方塊電阻較小,一般≤3.5Ω/□;這種金屬化膜在制作電容器時,其生產的合格率比較低,一般為70~83%,成本比較高。隨著電容器應用的起來起廣泛,電力設備體積要求越來越小,相應的對電容的體積要求也越來越高,這就要求電容器的儲能密度越來越大,即電容器使用超薄金屬化膜的場合越來越多,生產成本的要求也越來越高。
發明內容
本發明針對現有技術存在的不足,提供了一種超薄金屬化薄膜,具體技術方案如下:
一種超薄金屬化薄膜,包括基膜,所述基膜的正面設置有金屬鍍層;所述金屬鍍層包括加厚區、漸變方阻區和大方阻區,所述加厚區的厚度大于大方阻區的厚度,所述漸變方阻區設置在加厚區的尾側和大方阻區的首側之間,所述加厚區和大方阻區之間通過漸變方阻區電連接;所述大方阻區的尾側設置有留邊區。
作為上述技術方案的改進,所述加厚區是由金屬鋅通過真空鍍膜工藝制成的鋅鍍層。
作為上述技術方案的改進,所述加厚區的寬度為4~5mm。
作為上述技術方案的改進,所述留邊區的寬度為4mm。
作為上述技術方案的改進,所述大方阻區是由金屬鋁通過真空鍍膜工藝制成的鋁鍍層。
作為上述技術方案的改進,所述漸變方阻區是由鋅鋁合金通過真空鍍膜工藝制成的過渡層。
作為上述技術方案的改進,所述鋅鋁合金包含金屬鋅、金屬鋁、七氧化四鋱,所述金屬鋅占鋅鋁合金總重量的47.5~49.1%,七氧化四鋱占鋅鋁合金總重量的0.026~0.029%,余量為金屬鋁。
本發明的有益效果:本發明所述超薄金屬化薄膜在后續制成電容器的過程中不易被燙傷,產品的合格率高達96.7%,有效降低企業生產成本,其介電強度在1200V以上,制成的電容器的自愈能力高。
附圖說明
圖1為本發明所述超薄金屬化薄膜結構示意圖;
圖2為在卷制電容器卷芯時兩層本發明所述超薄金屬化薄膜的示意圖。
具體實施方式
為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白,以下結合附圖及實施例,對本發明進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明,并不用于限定本發明。
實施例1
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于安徽賽福電子有限公司,未經安徽賽福電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711091068.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





