[發明專利]一種應用于薄膜體聲波器件的多層鍵合系統集成封裝結構在審
| 申請號： | 201711090032.5 | 申請日： | 2017-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN107733397A | 公開（公告）日： | 2018-02-23 |
| 發明（設計）人： | 金中;唐小龍;杜雪松 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第二十六研究所 |
| 主分類號： | H03H9/17 | 分類號： | H03H9/17 |
| 代理公司： | 重慶博凱知識產權代理有限公司50212 | 代理人： | 李海華 |
| 地址： | 400060 *** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 應用于 薄膜 聲波 器件 多層 系統集成 封裝 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種應用于薄膜體聲波器件的多層鍵合系統集成封裝結構，其特征在于：包括上下依次疊放的底層、中間層和頂層，其中中間層為一層或者多層，每層的基體材料為硅基板，相鄰兩層之間的硅基板通過鍵合工藝連接為一體；在部分硅基板上開設有容置腔，容置腔內安裝有芯片，芯片通過硅基板上的導通孔進行需要的電路連接。
2.根據權利要求1所述的應用于薄膜體聲波器件的多層鍵合系統集成封裝結構，其特征在于：在底層硅基板下表面設有若干底部焊盤，底部焊盤通過導通孔與對應的芯片連接。
3.根據權利要求2所述的應用于薄膜體聲波器件的多層鍵合系統集成封裝結構，其特征在于：在某些硅基板上表面設有內部走線層，所有容置腔都設于所在硅基板下表面，安裝于容置腔內的芯片通過內部走線層和導通孔與底部焊盤互連互通，或者直接通過導通孔與底部焊盤互連互通。
4.根據權利要求3所述的應用于薄膜體聲波器件的多層鍵合系統集成封裝結構，其特征在于：所述芯片通過倒裝焊工藝與內部走線層實現電連接。
5.根據權利要求1所述的應用于薄膜體聲波器件的多層鍵合系統集成封裝結構，其特征在于：所述中間層為一層，在頂層硅基板下表面設有兩個容置腔，分別安裝有開關芯片和FBAR芯片，在中間層硅基板下表面設有一個容置腔并安裝有有源芯片。
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