[發明專利]發光二極管結構與其制造方法

有效

• 申請號: 201711089635.3
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN107658373B
• 公開（公告）日: 2020-01-21
• 發明（設計）人: 許嘉良;歐震;涂均祥;郭得山;柯丁嘉;邱柏順
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/10;H01L33/38;H01L27/15
• 代理公司: 11105 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陳小雯

1.一種發光二極管結構，包含：

基板；

第一半導體層，位于該基板上，且具有一上表面相對于該基板；

第二半導體層，且該第二半導體層與該第一半導體層電性相異；

發光層，介于該第一半導體層及該第二半導體層之間，且該第二半導體層位于該基板與該發光層之間；

第一電極，位于該上表面上；

第一電極延伸部，位于該上表面上且與該第一電極連接；以及

第一反射層，僅覆蓋該第一電極延伸部，且未接觸該上表面；

其中，該第一反射層的反射率高于該第一電極及該第一電極延伸部，且該第一電極及該第一電極延伸部包含相同的材料；

其中，一光線從該上表面射出。

2.如權利要求1所述的發光二極管結構，其中該上表面包含第一部分及第二部分，該第一電極、該第一電極延伸部及該第一反射層覆蓋該第一部分，該光線從該第二部分射出。

3.如權利要求1所述的發光二極管結構，還包含第一導電層位于該上表面與該第一電極或該第一電極延伸部之間。

4.如權利要求3所述的發光二極管結構，其中該第一導電層包含透明導電層材料。

5.如權利要求1所述的發光二極管結構，其中該第一反射層未覆蓋該第一電極。

6.如權利要求1所述的發光二極管結構，其中該第一反射層包含鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)、銀(Ag)、銠(Rh)或其合金。

7.如權利要求1所述的發光二極管結構，其中該第一反射層包含布拉格反射鏡(DBR)結構，該布拉格反射鏡(DBR)包含有機材料或無機材料。

8.如權利要求1所述的發光二極管結構，還包含透明絕緣層，覆蓋該第一半導體層的該上表面及該第一電極延伸部，且露出該第一電極。

9.如權利要求1所述的發光二極管結構，其中該第一電極及該第一電極延伸部具有相同的厚度。

10.如權利要求1所述的發光二極管結構，其中該第一反射層與該第一電極延伸部輪廓一致。