[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)、封裝方法和光電設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711089375.X | 申請日: | 2017-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN107819081B | 公開(公告)日: | 2020-09-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王兵;甄常刮 | 申請(專利權(quán))人: | 納晶科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52 |
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| 地址: | 310052 浙江省杭州市濱*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 結(jié)構(gòu) 方法 光電 設(shè)備 | ||
1.一種封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝結(jié)構(gòu)包括:
基板(1);
發(fā)光器件(2),設(shè)置在所述基板(1)的一側(cè)表面上;
阻液層(3),覆蓋設(shè)置在所述發(fā)光器件(2)的外露表面上;
網(wǎng)狀空隙層(4),設(shè)置在所述阻液層(3)遠(yuǎn)離所述基板(1)的表面上,所述網(wǎng)狀空隙層的材料包括氣凝膠,且所述網(wǎng)狀空隙層(4)為多組分氣凝膠,形成所述多組分氣凝膠的原料選自Fe/SiO2納米顆粒、Pt/TiO2納米顆粒、(C60/C70)-SiO2納米顆粒、CaO/MgO/SiO2納米顆粒中的一種或多種,所述網(wǎng)狀空隙層(4)與所述基板(1)密封連接,以密封所述發(fā)光器件(2);
第一吸水層(5),設(shè)置在所述網(wǎng)狀空隙層(4)的遠(yuǎn)離所述阻液層(3)的表面上,且所述第一吸水層(5)與所述基板(1)密封連接;
至少一層密封阻擋層(6),與所述基板密封連接,以形成一密封空間,所述第一吸水層(5)、所述網(wǎng)狀空隙層(4)、所述阻液層(3)及所述發(fā)光器件(2)設(shè)置于所述密封空間內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述網(wǎng)狀空隙層(4)的厚度在60nm~5um之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一吸水層(5)的吸水材料為第一吸水材料,所述第一吸水材料還設(shè)置在所述網(wǎng)狀空隙層(4)的網(wǎng)狀空隙內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,形成所述第一吸水材料的原料包括液態(tài)干燥劑,所述液態(tài)干燥劑具有光固化或熱固化的性質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一吸水層(5)為固態(tài)干燥劑層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝結(jié)構(gòu)還包括:
第二吸水層(8),設(shè)置在所述第一吸水層(5)和所述密封阻擋層(6)之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二吸水層(8)的吸水材料為第二吸水材料,所述第二吸水材料選自鈣、無機(jī)金屬氧化物、硫酸鹽與有機(jī)金屬氧化物中的一種或多種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,形成所述阻液層(3)的原料包括納米顆粒墨水,所述納米顆粒墨水中的納米顆粒選自金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氟化物、非金屬氧化物與非金屬氮化物中的一種或多種;或者,所述阻液層(3)為有機(jī)聚合物層和無機(jī)物層交疊設(shè)置的多層結(jié)構(gòu)。
9.一種封裝方法,其特征在于,所述封裝方法包括如下步驟:
S1,在基板的一側(cè)表面上設(shè)置發(fā)光器件;
S2,在所述發(fā)光器件的遠(yuǎn)離所述基板的外露表面上設(shè)置阻液層;
S3,在所述阻液層的遠(yuǎn)離所述基板的表面上設(shè)置氣凝膠原料,以形成網(wǎng)狀空隙層,所述網(wǎng)狀空隙層為多組分氣凝膠,形成所述多組分氣凝膠的原料選自Fe/SiO2納米顆粒、Pt/TiO2納米顆粒、(C60/C70)-SiO2納米顆粒、CaO/MgO/SiO2納米顆粒中的一種或多種,所述網(wǎng)狀空隙層與所述基板密封連接,以密封所述發(fā)光器件;
S4,在所述網(wǎng)狀空隙層的遠(yuǎn)離所述阻液層的表面上設(shè)置第一吸水層,使所述第一吸水層與所述基板表面密封連接;
S5,在所述第一吸水層、所述網(wǎng)狀空隙層、所述阻液層及所述發(fā)光器件的外露表面上設(shè)置至少一層密封阻擋層,使所述密封阻擋層與所述基板密封連接。
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H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
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H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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