[發明專利]頂端修飾Cu2

有效

• 申請號: 201711086452.6
• 申請日: 2017-11-07
• 公開（公告）號: CN108043410B
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 賀濤;穆扎法爾·伊克巴爾;王艷杰;胡海峰
• 申請（專利權）人: 國家納米科學中心
• 主分類號: B01J23/80
• 分類號: B01J23/80
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王文君;姚自奇

1.一種頂端修飾Cu₂O的ZnO納米棒的異質結的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)配制含Zn²⁺離子的水溶液，并在其中加入溶質，采用恒電位沉積的方法，在導電基底上制備ZnO納米棒陣列，然后取出，清洗，干燥；

2)配制含Cu²⁺離子的水溶液，將其與甲醇混合，并加入堿調整pH，加入乳酸作為穩定劑，再向其中加入步驟1)制備的ZnO納米棒陣列，光照一定時間，即得。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟1)中所述含Zn²⁺離子的水溶液包括但不僅限于Zn(NO₃)₂、ZnCl₂、Zn(CH3COO)₂的水溶液；和/或，

步驟1)中所述含Zn²⁺離子的水溶液中Zn²⁺的濃度為0.001～0.05mol·L^-1。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟1)中所述溶質為乙二胺，環六亞甲基四胺或KCl；和/或，

步驟1)中所述溶質在所述含Zn²⁺離子的水溶液中的濃度范圍為0.03～0.1mol·L^-1。

4.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟1)中，恒電位沉積法使用三電極體系，以導電基底為工作電極，鉑片為對電極，飽和甘汞電極為參比電極。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，步驟1)中，所述恒電位沉積法采用電位范圍為-1.1～-1.0V；和/或，所述恒電位沉積法控制時間為60～150min；和/或，所述恒電位沉積過程中控制溫度范圍為70～85℃。

6.根據權利要求1、2、5任一項所述的制備方法，其特征在于，步驟2)中所述含Cu²⁺離子的水溶液包括但不僅限于CuSO₄、CuCl₂、Cu(CH₃COO)₂的銅鹽水溶液；和/或，

驟2)中所述含Cu²⁺離子的水溶液中Cu²⁺的濃度范圍為0.0001～0.001mol·L^-1，甲醇質量分數為5％，pH控制為9.0；和/或，

步驟2)中所述所述堿包括但不僅限于NaOH、KOH和NH₄OH；和/或，

步驟2)中所述光照時間控制為0～30min。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，步驟2)所用光源為紫外光或白光。

8.權利要求1-7任一項所述方法制備的頂端修飾Cu₂O的ZnO納米棒的異質結。

9.根據權利要求8所述的頂端修飾Cu₂O的ZnO納米棒的異質結，其包括導電基底、ZnO納米棒層和Cu₂O層，所述導電基底為導電材料，所述ZnO納米棒層生長于所述導電基底表面，所述Cu₂O層修飾于所述ZnO納米棒層頂端。

10.根據權利要求9所述的頂端修飾Cu₂O的ZnO納米棒的異質結，其特征在于，所述導電基底為FTO導電玻璃；和/或，所述ZnO納米棒呈六棱柱結構，直徑為80～150nm。