[發明專利]一種碲化鎘薄膜太陽能電池的吸收層摻磷工藝

在審

• 申請號: 201711079836.5
• 申請日: 2017-11-06
• 公開（公告）號: CN107731963A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 彭壽;馬立云;潘錦功;殷新建;楊少飛
• 申請（專利權）人: 成都中建材光電材料有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 成都市集智匯華知識產權代理事務所(普通合伙)51237
• 代理人: 李華,溫黎娟

1.一種碲化鎘薄膜太陽能電池吸收層摻磷的工藝，包括以下步驟

1)依次沉積透明導電層、高電阻層以及窗口層；

2)在磷氣氛下沉積碲化鎘薄膜獲得摻磷碲化鎘薄膜，所述磷氣氛為磷在真空條件下高溫蒸發獲得；

3)在氯化鎘氣氛下高溫處理摻磷碲化鎘薄膜，后沉積背接觸層，高溫退火后封裝。

2.根據權利要求1所述的工藝，其特征在于，所述步驟2)沉積的基板溫度為200℃-650℃。

3.根據權利要求1所述的工藝，其特征在于，所述步驟2)磷蒸發溫度為200℃-700℃。

4.根據權利要求1所述的工藝，其特征在于，所述步驟2)沉積壓力為0.01帕斯卡到100000帕斯卡。

5.根據權利要求4所述的工藝，其特征在于，所述步驟2)沉積壓力為10帕斯卡到1000帕斯卡。

6.根據權利要求1所述的工藝，其特征在于，所述步驟2)磷分壓為0.01帕斯卡到100000帕斯卡。

7.根據權利要求6所述的工藝，其特征在于，所述步驟2)磷分壓為1帕斯卡到10帕斯卡。

8.根據權利要求1所述的工藝，其特征在于，所述磷為紅磷或白磷中的一種。

9.根據權利要求1所述的工藝，其特征在于，所述步驟2)在氣體保護下進行，所述氣體為氮氣和/或氬氣，所述氣體壓力為10帕斯卡到100000帕斯卡。

10.根據權利要求1所述的工藝，其特征在于，所述摻磷碲化鎘薄膜厚度為0.1微米到10微米。