[發(fā)明專利]二極管芯片酸洗設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711079083.8 | 申請日: | 2017-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN107658251A | 公開(公告)日: | 2018-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 包劍波 | 申請(專利權(quán))人: | 重慶長捷電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 深圳市興科達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44260 | 代理人: | 賈慶 |
| 地址: | 409100 重慶*** | 國省代碼: | 重慶;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 二極管 芯片 酸洗 設(shè)備 | ||
1.一種二極管芯片酸洗設(shè)備,其特征在于:包括工作倉(1)、酸洗箱(2)、酸洗盤(3)、溫控裝置(4)、噴頭(5)和控制器(6),所述酸洗箱(2)和酸洗盤(3)分布設(shè)置于所述工作倉(1)內(nèi),且所述酸洗盤(3)通過設(shè)置于一側(cè)的氣缸推動,所述待酸洗二極管芯片裝設(shè)于所述酸洗盤(3)上,所述溫控裝置(4)包括制冷制熱盤管(4a)、壓縮外機(jī)(4b)和溫感器(4c),所述制冷制熱盤管(4a)裝設(shè)于所述酸洗箱(2)內(nèi)且與設(shè)置于工作倉(1)外的壓縮外機(jī)(4b)連接,所述溫感器(4c)設(shè)置于所述酸洗箱(2)內(nèi),所述噴頭(5)設(shè)置于所述酸洗盤(3)的一側(cè)且通過連接管(7)連接于所述酸洗箱(2)上,所述連接管(7)上設(shè)有電磁閥(8),所述控制器(6)裝設(shè)于所述工作倉(1)上且與所述溫控裝置(4)和電磁閥(8)電性連接控制。
2.如權(quán)利要求1所述的二極管芯片酸洗設(shè)備,其特征在于:所述酸洗箱(2)的外表面設(shè)有保溫夾層(2a),且保溫夾層(2a)內(nèi)設(shè)有保溫材料。
3.如權(quán)利要求1所述的二極管芯片酸洗設(shè)備,其特征在于:所述連接管(7)上設(shè)有多個上述噴頭(5),且噴頭(5)上設(shè)有開關(guān)(5a),所述噴頭(5)的噴口朝所述酸洗盤(3)設(shè)置。
4.如權(quán)利要求1所述的二極管芯片酸洗設(shè)備,其特征在于:所述工作倉(1)內(nèi)于所述酸洗盤(3)的一側(cè)設(shè)有支撐柱(9),所述電磁閥(8)和連接管(7)分別設(shè)于支撐柱(9)上。
5.如權(quán)利要求1所述的二極管芯片酸洗設(shè)備,其特征在于:所述工作倉(1)的前端設(shè)有滑動玻璃門(10),當(dāng)對二極管芯片進(jìn)行沖洗時可起到防護(hù)作用,防止酸飛濺。
6.如權(quán)利要求1所述的二極管芯片酸洗設(shè)備,其特征在于:所述酸洗盤(3)的下方設(shè)有回收池(11),用于對二極管芯片沖洗的酸進(jìn)行回收。
7.如權(quán)利要求1所述的二極管芯片酸洗設(shè)備,其特征在于:所述酸洗盤(3)相互連接且呈鏤空結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求1所述的二極管芯片酸洗設(shè)備,其特征在于:所述酸洗箱(2)采用PP塑料板。
9.如權(quán)利要求1所述的二極管芯片酸洗設(shè)備,其特征在于:所述工作倉(1)內(nèi)于所述酸洗盤(3)的一側(cè)向上凸設(shè)有安裝臺(12),所述酸洗箱(2)裝設(shè)于所述安裝臺(2)上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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