[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201711071262.7
• 申請日: 2017-11-03
• 公開（公告）號: CN108091692A
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 林憲信;楊明宗;萬文愷
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/417
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

本發明公開一種半導體裝置，包括：柵極結構，設置在平行布置的鰭狀結構上，其中每個鰭狀結構的柵極結構的兩側上具有漏極部分和源極部分；漏極接觸結構，設置在所述鰭狀結構的漏極部分上方；源極接觸結構，設置在所述鰭狀結構的源極部分上方；具有第一數量的漏極通孔結構，與所述漏極接觸結構電連接；以及具有第二數量的源極通孔結構，與所述源極接觸結構電連接，其中所述第一數量與所述第二數量之和大于或等于2，并且所述第一數量與所述第二數量之和小于或等于所述鰭狀結構數量的兩倍。本發明大大降低了半導體裝置的熱電阻值，從而減少半導體裝置產生的熱量，還可以增加半導體裝置的散熱渠道和散熱面積，改善半導體裝置的散熱能力。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，更具體地，涉及一種半導體裝置。

背景技術

集成電路的設計需要用于電子設備的收縮通道長度和用于多功能單元的增加數量的輸入/輸出連接(引腳說明)。因此，已經開發了鰭式電子器件(fin-like electronicdevice)，用于增加單元的引腳接口。然而，對于傳統的集成電路，由于散熱問題，鰭式電子器件的可靠性和質量受到限制。

因此，需要提供一種具有改善散熱能力的新型半導體裝置。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種半導體裝置，具有更優良的散熱能力。

根據本發明的第一方面，公開一種半導體裝置，包括：柵極結構，設置在平行布置的鰭狀結構上，其中每個鰭狀結構的柵極結構的兩側上具有漏極部分和源極部分；漏極接觸結構，設置在所述鰭狀結構的漏極部分上方；源極接觸結構，設置在所述鰭狀結構的源極部分上方；具有第一數量的漏極通孔結構，與所述漏極接觸結構電連接；以及具有第二數量的源極通孔結構，與所述源極接觸結構電連接，其中所述第一數量與所述第二數量之和大于或等于2，并且所述第一數量與所述第二數量之和小于或等于所述鰭狀結構數量的兩倍。

根據本發明的第二個方面，公開一種半導體裝置，包括：柵極結構，設置在平行布置的鰭狀結構上，其中每個鰭狀結構具有漏極部分和源極部分；漏極接觸結構，設置在所述鰭狀結構的漏極部分上方；源極接觸結構，設置在所述鰭狀結構的源極部分上方；漏極通孔結構，與所述漏極接觸結構電連接；源極通孔結構，與所述源極接觸結構電連接；具有第一數量的漏極虛設通孔結構，與所述漏極接觸結構電連接并且位于所述漏極通孔結構旁邊；以及具有第二數量的源極虛設通孔結構，與所述源極接觸結構電連接，并且位于所述源極通孔結構旁邊，其中所述第一數量和/或所述第二數量小于所述鰭狀結構的數量。

根據本發明的第三個方面，公開一種半導體裝置，其特征在于，包括：柵極結構，設置在平行布置的鰭狀結構上，其中每個鰭狀結構的柵極結構的兩側上具有漏極部分和源極部分；單個漏極接觸結構，設置在所述鰭狀結構的漏極部分上方；單個源極接觸結構，設置在所述鰭狀結構的源極部分上方；具有第一數量的漏極通孔結構，與所述單個漏極接觸結構連接；以及具有第二數量的源極通孔結構，與所述單個源極接觸結構連接，其中所述第一數量的漏極通孔結構和所述單個漏極接觸結構之間的第一重疊面積小于或等于所述第二數量的源極通孔結構與所述單個源極接觸結構之間的第二重疊面積。

本發明提供的半導體裝置設有與漏極接觸結構電連接的漏極通孔結構和與源極接觸結構電連接的源極通孔結構，漏極通孔結構的第一數量與源極通孔結構的第二數量之和大于或等于2，并且第一數量與第二數量之和小于或等于鰭狀結構數量的兩倍，將大大降低半導體裝置的熱電阻值，從而減少半導體裝置產生的熱量，還可以增加半導體裝置的散熱渠道和散熱面積，同時保證半導體裝置的工作的高效和穩定，改善半導體裝置的散熱能力，提高半導體裝置的可靠性和質量。

在閱讀了隨后以不同附圖展示的優選實施例的詳細說明之后，本發明的這些和其它目標對本領域普通技術人員來說無疑將變得明顯。

附圖說明

圖1A是根據本發明一些實施例的半導體裝置的透視圖；