[發(fā)明專利]鹽穴儲氣庫的腔體修復(fù)方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711070327.6 | 申請日: | 2017-11-03 |
| 公開(公告)號: | CN109751081A | 公開(公告)日: | 2019-05-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊海軍;李龍;李建君;翁小紅;陳加松;巴金紅;程林;劉繼芹;劉玉剛;張青慶;王成林;劉春;王元剛 | 申請(專利權(quán))人: | 中國石油天然氣股份有限公司 |
| 主分類號: | E21F17/16 | 分類號: | E21F17/16 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人: | 周莉 |
| 地址: | 100007 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鹵水 阻溶劑 保護(hù)層 腔體 上界 下界 鹽穴儲氣庫 改造 實時監(jiān)控 分布式光纖測溫系統(tǒng) 修復(fù) 實時監(jiān)測 井筒 垂向 溶蝕 | ||
本發(fā)明公開了一種鹽穴儲氣庫的腔體修復(fù)方法,方法包括:a、根據(jù)鹽穴儲氣庫的腔體的形狀和井筒的深度,確定需要改造層段上界面的深度、需要改造層段下界面的深度、需要保護(hù)層段上界面的深度、以及需要保護(hù)層段下界面的深度;b、根據(jù)需要改造層段上界面的深度、需要改造層段下界面的深度、需要保護(hù)層段上界面的深度、以及需要保護(hù)層段下界面的深度,確定阻溶劑與鹵水界面的最大深度和阻溶劑與鹵水界面的最小深度;c、根據(jù)分布式光纖測溫系統(tǒng)實時監(jiān)測腔體的垂向溫度,實時監(jiān)控阻溶劑與鹵水界面的深度在阻溶劑與鹵水界面的最大深度和阻溶劑與鹵水界面的最小深度之間,對需要改造層段進(jìn)行溶蝕。該方法可實時監(jiān)控阻溶劑與鹵水界面的深度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種鹽穴儲氣庫的腔體修復(fù)方法。
背景技術(shù)
隨著“健康中國”概念提出,天然氣作為高效、清潔能源,近些年來市場需求逐年攀升、消費比例大幅提高。地下儲氣庫作為油氣管道的配套設(shè)施,在保障市場安全平穩(wěn)用氣和季節(jié)性應(yīng)急調(diào)峰方面發(fā)揮重要作用,但是國內(nèi)地下儲氣庫建設(shè)進(jìn)度嚴(yán)重滯后于管道建設(shè)和市場需求,國家要求加快發(fā)展地下儲氣庫進(jìn)度。我國目前建設(shè)的儲氣庫類型有枯竭油氣藏儲氣庫和地下鹽穴儲氣庫。
地下鹽穴儲氣庫的腔體主要采用水溶造腔法進(jìn)行建造。水溶造腔法在造腔過程中,先向腔體內(nèi)注入柴油、氮氣或天然氣等阻溶劑對不改造層段進(jìn)行保護(hù),再向腔體內(nèi)注入水對需要改造層段進(jìn)行溶蝕。造腔過程中,還需要中子測井儀器對油水界面或氣水界面的位置進(jìn)行檢測,以控制注入的阻溶劑的量和水的量,從而控制改造后的腔體的形狀。
在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中,發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題:國內(nèi)目前使用柴油作為阻溶劑來控制鹽穴儲氣庫的腔體形狀。在造腔過程中,柴油損失量大,通常損耗量約為100方/井,并且對環(huán)境也會造成一定污染。此外,在以柴油作為阻溶劑對腔體進(jìn)行回溶修補時,需要大量柴油保護(hù)不改造的層段,對環(huán)境也會造成污染,并且大大增加了腔體回溶修補的成本。利用天然氣作用阻溶劑雖然可以降低鹽穴儲氣庫的腔體回溶修補的成本,并且對環(huán)境污染小,但是氣壓變化會引起氣體體積發(fā)生很大的變化,導(dǎo)致氣水界面浮動大,不好控制,而中子測井儀器不能下入井中對氣水界面的位置進(jìn)行實時監(jiān)測,即不能實時調(diào)控氣水界面的位置,使得天然氣作為阻溶劑進(jìn)行造腔的技術(shù)發(fā)展受到限制。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種可以實時監(jiān)測阻溶劑與鹵水界面位置的鹽穴儲氣庫的腔體修復(fù)方法。技術(shù)方案如下:
一種鹽穴儲氣庫的腔體修復(fù)方法,所述方法包括:
a、根據(jù)所述鹽穴儲氣庫的腔體的形狀和井筒的深度,確定需要改造層段上界面的深度、需要改造層段下界面的深度、需要保護(hù)層段上界面的深度、以及需要保護(hù)層段下界面的深度;
b、根據(jù)所述需要改造層段上界面的深度、所述需要改造層段下界面的深度、所述需要保護(hù)層段上界面的深度、以及所述需要保護(hù)層段下界面的深度,確定阻溶劑與鹵水界面的最大深度和阻溶劑與鹵水界面的最小深度;
c、根據(jù)分布式光纖測溫系統(tǒng)實時監(jiān)測所述腔體的垂向溫度,實時監(jiān)控阻溶劑與鹵水界面的深度在所述阻溶劑與鹵水界面的最大深度和所述阻溶劑與鹵水界面的最小深度之間,對所述需要改造層段進(jìn)行溶蝕。
具體地,在步驟a中,根據(jù)所述腔體底端的深度、所述腔體頂端的深度、以及所述腔體的不同深度對應(yīng)的直徑長度,確定所述鹽穴儲氣庫的腔體的形狀和井筒的深度。
更具體地,在步驟a中,根據(jù)所述鹽穴儲氣庫的腔體的形狀和所述井筒的深度,確定所述腔體的需要改造層段、需要改造層段上界面的深度、以及需要改造層段下界面的深度。
更具體地,根據(jù)所述鹽穴儲氣庫的腔體的形狀、所述井筒的深度、以及所述需要改造層段、確定所述腔體的需要保護(hù)層段、需要保護(hù)層段上界面的深度、以及所述需要保護(hù)層段下界面的深度。
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